[实用新型]具有新结构石墨舟的PECVD设备有效
| 申请号: | 201120459906.1 | 申请日: | 2011-11-18 |
| 公开(公告)号: | CN202323023U | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
| 发明(设计)人: | 宋立禄 | 申请(专利权)人: | 青岛赛瑞达电子科技有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458 |
| 代理公司: | 山东清泰律师事务所 37222 | 代理人: | 宁燕 |
| 地址: | 266100 山东省青岛市高*** | 国省代码: | 山东;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 结构 石墨 pecvd 设备 | ||
技术领域
本实用新型涉及半导体、光伏产业中的PECVD设备。
背景技术
目前用于太阳能电池片生产的PECVD(等离子增强型化学气相沉积)设备的产能有限,对于尺寸为125 mm×125 mm的硅片,每管可以装载196或252片;对于156 mm×156 mm的硅片,每管装载144或 216片。然而,这一有限的产能及其生产的电池片性能不高如转化效率、均匀性、色差等问题,已无法满足快速发展的太阳能光伏发电产业。
以上设备的承载装置——石墨舟之现有结构,是产能与电池片电性能妥协的结果,已经大大制约了太阳能电池片电性能的提高。随着太阳能电池片的不断发展,研发和生产提升电池片电性能的新PECVD石墨舟及设备已经成为必然趋势。
发明内容
为了解决以上技术问题,本实用新型提供了一种可以提高太阳能电池片电性能的具有新结构石墨舟的PECVD设备。
本实用新型所述具有新结构石墨舟的PECVD设备,包括硅片、石墨舟、石英管;其中石墨舟设置于石英管内;石墨舟包括若干相互平行的石墨舟片,石墨舟片之间形成凹槽,石墨舟片之间的距离为13mm;硅片设置于凹槽内。
该设备用于太阳能电池芯片生产的“减反射膜”工序,它的原理如下:在密闭的真空炉体内,填充了工艺气体——硅烷和氨气,它们被射频电离成了等离子体,这些等离子体的化学性能很强,很容易发生反应,在硅片上沉积出所希望的薄膜。装在石墨舟内的硅片在炉体内均匀的分布,气体可以在硅片表面均匀地沉积。在电离过程中,不同间距的石墨舟片会形成不同的电场,间距大的电场更适合电池片的生产工艺。
本实用新型所述具有新结构石墨舟的PECVD设备,通过生产实验证明,对太阳能电池片的发电功率有很大的提升,同时也极大的改善了管式PECVD电池片的色差问题。
附图说明
图1为本实用新型所述具有新结构石墨舟的PECVD设备的结构示意图。
图2为图1中石墨舟片部分的放大图。
图中编号说明:
1-硅片;2-石墨舟;3-石英管;4-石墨舟片,5-石墨舟片的间距d。
具体实施方式
结合图1本实用新型所述具有新结构石墨舟的PECVD设备进行详细说明。
如图1所示,本实用新型所述具有新结构石墨舟的PECVD设备,包括若干硅片1即太阳能电池片、石墨舟2、石英管3,石墨舟片4。
如图2所示,石墨舟2包括若干石墨舟片4,这些石墨舟片4之间相互平行,它们之间的距离为13mm,石墨舟片4与石墨舟片4之间形成凹槽,若干硅片1设置于凹槽内。
本实用新型所述具有新结构石墨舟的PECVD设备,通过生产实验证明,对太阳能电池片的发电功率有很大的提升。
同时,硅片镀膜时,不同间距的石墨舟片会形成不同的电场,间距大的电场更适合电池片的生产工艺,气体可以在硅片表面均匀地沉积,极大的改善了管式PECVD电池片的色差问题。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





