[实用新型]用于集成电路芯片最终测试微调的熔线电路有效
申请号: | 201120456914.0 | 申请日: | 2011-11-17 |
公开(公告)号: | CN202352661U | 公开(公告)日: | 2012-07-25 |
发明(设计)人: | 方立文;杨智皓;陈安东 | 申请(专利权)人: | 立锜科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/525 | 分类号: | H01L23/525;H01L23/544 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 陈肖梅;谢丽娜 |
地址: | 中国台湾新*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 集成电路 芯片 最终 测试 微调 电路 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种用于集成电路(integrated circuit,IC)芯片最终测试微调(final test trim,FT-Trim)的熔线电路,特别是指一种利用增加阻抗,以改善熔线电路的静电放电防护,以避免IC芯片于FT-Trim调整错误的用于IC芯片FT-Trim的熔线电路。
背景技术
在现今先进的电子电路系统中,对于IC芯片的各项参数规格要求越来越高,因此如何精准地控制IC的各项参数,就成为相当重要的议题。一般来说,IC芯片在封装的时候,封装材料会对IC芯片产生应力,此应力就有可能使IC的各项参数(包括电压、电流等)产生相当程度的误差,在现有的系统中,因为参数规格要求不高,封装应力产生的误差是可以被忽略的。
由于IC芯片的各项参数规格要求日趋严格,为改善上述因封装造成的误差,FT-Trim是业界一种常用的作法,此作法就是在IC芯片完成封装动作之后,测量其规格上的各项参数值,并观察这些参数值与设计值有多少误差。算出要调整的位数之后,再根据计算结果,熔断特定的熔线,以将误差值抵销,使量测到的参数值可以更接近设计值。而FT-Trim完成之后,基本上IC芯片就不会再经过加工的动作,也不会受到非理想效应的影响,可以确保IC的规格不会再被改变。
图1显示一种典型用于IC芯片FT-Trim的熔线电路10的示意图。如图1所示,熔线电路10包含串联于电源接点Power Pin与接地接点GND之间的电子熔线11与控制开关Q1。控制开关Q1接收控制讯号,以决定控制开关Q1是否导通,使得电源接点Power Pin与接地接点GND间的通道导通,电流流经电子熔线11一段预设时间,并使其熔断,造成熔线电路10开路。
电路中通常也设有静电防护元件,也会串接在电源接点Power Pin与接地接点GND之间,因此会与熔线电路10构成并联电路。静电防护元件的目的是保护电路免受静电损害,但在测试电路是否能耐受静电时,通常会从电源接点Power Pin与接地接点GND分别施加电压,而此时静电防护元件未必能保护熔线电路10。详言之,图2A与2B分别显示包含控制开关Q1与Q2的熔线电路10与20,其差别为控制开关Q1为N型金属氧化物半导体(metal oxide semiconductor,MOS)元件,而控制开关Q2为PMOS元件,搭配静电防护元件15与25的电路示意图。熔线电路10与20分别并联静电防护元件15与25,当电源接点Power Pin接触到正静电压时,静电压会由电源接点Power Pin经由静电防护元件15与25到接地接点GND释放,这种情况一般不会熔断电子熔线11与21;但是,当接地接点GND接触到到正静电压时,静电压可能会由接地接点GND经由控制开关Q1与Q2中的寄生二极管D1与D2到电源接点Power Pin释放,这种情况下,电子熔线11与21就可能会被熔断,造成IC参数有所偏移。
有鉴于以上所述,本实用新型即针对现有技术的不足,提出一种利用增加寄生通道阻抗,以改善熔线电路的静电放电防护,进而避免IC芯片于FT-Trim时造成调整错误的用于IC芯片FT-Trim的熔线电路。
发明内容
本实用新型的目的在于克服现有技术的不足与缺陷,提出一种用于集成电路芯片最终测试微调的熔线电路。
为达上述目的,其中一个观点言,本实用新型提供了一种用于集成电路芯片最终测试微调的熔线电路,包含:至少一电子熔线;与该电子熔线对应的至少一控制开关,其与该电子熔线串接于一接地接点与一预设接点之间,每一控制开关包括:一控制端,接收一控制讯号,以决定该控制开关是否导通,使得一预设电流流经该对应的电子熔线,并使其熔断,造成该熔线电路开路,其中该预设电流自该预设接点流向该接地接点;一源极端与一漏极端,根据该控制讯号,于其间形成一受控通道,以作为该预设电流的通道,其中该受控通道与该电子熔线串接;以及一基板端,与该漏极端间形成一寄生二极管,以阻止该预设电流流入该基板端;以及一阻抗元件,耦接于该基板端与该源极端之间。
在其中一种较佳的实施型态中,该用于集成电路芯片最终测试微调的熔线电路,更包含一二极管,与该电子熔线以及该控制开关串接于该接地接点与该预设接点之间,该二极管具有一顺向端与一逆向端,其中该预设电流自该顺向端流向该逆向端。
在其中一种实施型态中,该用于集成电路芯片最终测试微调的熔线电路,其中该控制开关宜为一NMOS或PMOS元件,具有:一栅极以作为该控制端;一源极以作为该源极端;一漏极以作为该漏极端;以及一主体极以作为该基板端。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于立锜科技股份有限公司,未经立锜科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201120456914.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:计算机和显示切换方法
- 下一篇:一种自平衡便移式洗衣机