[实用新型]用于集成电路芯片最终测试微调的熔线电路

权利要求书

1.一种用于集成电路芯片最终测试微调的熔线电路，其特征在于，包含：

至少一电子熔线；

与该电子熔线对应的至少一控制开关，其与该电子熔线串接于一接地接点与一预设接点之间，每一控制开关包括：

一控制端，接收一控制讯号，以决定该控制开关是否导通，使得一预设电流流经该对应的电子熔线，并使其熔断，造成该熔线电路开路，其中该预设电流自该预设接点流向该接地接点；

一源极端与一漏极端，根据该控制讯号，于其间形成一受控通道，以作为该预设电流的通道，其中该受控通道与该电子熔线串接；以及

一基板端，与该漏极端间形成一寄生二极管，以阻止该预设电流流入该基板端；以及

一阻抗元件，耦接于该基板端与该源极端之间。

2.如权利要求1所述的用于集成电路芯片最终测试微调的熔线电路，其特征在于，还包含一二极管，与该电子熔线以及该控制开关串接于该接地接点与该预设接点之间，该二极管具有一顺向端与一逆向端，其中该预设电流自该顺向端流向该逆向端。

3.如权利要求1所述的用于集成电路芯片最终测试微调的熔线电路，其特征在于，该控制开关为一N型或P型金属氧化物半导体元件，具有：

一栅极以作为该控制端；

一源极以作为该源极端；

一漏极以作为该源极端；以及

一主体极以作为该基板端。

4.如权利要求3所述的用于集成电路芯片最终测试微调的熔线电路，其特征在于，该阻抗元件包括一硅基板层、一多晶硅层、或一金属层。

5.如权利要求1所述的用于集成电路芯片最终测试微调的熔线电路，其特征在于，该电子熔线与对应的控制开关数量皆为多个，且该多个控制开关共同耦接至同一阻抗元件。

6.如权利要求2所述的用于集成电路芯片最终测试微调的熔线电路，其特征在于，该二极管的崩溃电压大于该集成电路芯片的一静电防护电压，其中，该静电防护电压相关于该集成电路芯片所能承受的最大静电压。

7.如权利要求1所述的用于集成电路芯片最终测试微调的熔线电路，其特征在于，该阻抗元件具有一电阻值，该电阻值大于一电阻设定值，该电阻设定值相关于该集成电路芯片所能承受的最大静电压。

8.一种用于集成电路芯片最终测试微调的熔线电路，其特征在于，包含：

至少一电子熔线；

与该电子熔线对应的至少一控制开关，其与该电子熔线串接于一接地接点与一预设接点之间，每一控制开关包括：

一控制端，接收一控制讯号，以决定该控制开关是否导通，使得一预设电流流经该对应的电子熔线，并使其熔断，造成该熔线电路开路，其中该预设电流自该预设接点流向该接地接点；

一源极端与一漏极端，根据该控制讯号，于其间形成一受控通道，以作为该预设电流的通道，其中该受控通道与该电子熔线串接；以及

一基板端，与该漏极端间形成一寄生二极管，以阻止该预设电流流入该基板端；以及

一二极管，与该电子熔线以及该控制开关串接于该接地接点与该预设接点之间，该二极管具有一顺向端与一逆向端，其中该预设电流自该顺向端流向该逆向端。

9.如权利要求8所述的用于集成电路芯片最终测试微调的熔线电路，其特征在于，该控制开关为一N型或P型金属氧化物半导体元件，具有：

一栅极以作为该控制端；

一源极以作为该源极端；

一漏极以作为该源极端；以及

一主体极以作为该基板端。

10.如权利要求8所述的用于集成电路芯片最终测试微调的熔线电路，其特征在于，该二极管的崩溃电压大于该集成电路芯片的一静电防护电压，其中，该静电防护电压相关于该集成电路芯片所能承受的最大静电压。