[实用新型]移位寄存器及其栅极驱动装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及显示器技术领域，尤其涉及一种移位寄存器及其栅极驱动装置。

背景技术

目前，显示器正在朝着轻薄化、高解析化、窄边框化和节能化方向发展，这就要求在有限的玻璃基板上整合更多的开关器件和设计更小的像素以满足显示器发展的要求。低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon，LTPS)技术因其可以使电路做得更薄更小、功耗更低等优点而被广泛使用，使用该技术的包括LTPS薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD)和有源矩阵有机发光二极体面板(Active Matrix Organic Light Emitting Diode，AMOLED)。

栅极驱动技术多以移位寄存器来实现扫描驱动。众所周知，在有源矩阵显示器扫描线和数据线相交的区域为像素阵列矩阵，每一个交叉区域为一个像素。每一行像素阵列由一条水平扫描线相连接，其所需扫描信号由扫描驱动器中的移位寄存器电路通过扫描线来依次顺序地提供。

在实现本实用新型过程中，发明人发现现有技术中至少存在如下问题：

如图1所示，传统的采用LTPS技术的移位寄存器，使用两个锁存器和两个传输门结构，每个锁存器包括与非门、反相器和传输门，用于存储信号，两个传输门控制信号的位移和输出。此电路包括二十个薄膜晶体管，薄膜晶体管的数量多，功耗比较大。

实用新型内容

本实用新型的实施例所解决的技术问题在于提供一种移位寄存器及其栅极驱动装置，实现减少薄膜晶体管的使用，降低了功耗。

为解决上述技术问题，本实用新型实施例采用如下技术方案：

一种移位寄存器，包括：

第一传输门，其输入端连接本级移位寄存器的输入端；

第一电容，其一端与所述第一传输门的输出端连接，其另一端连接低电平端；

第二传输门，其输入端连接所述第一传输门的输出端，其输出端连接本级移位寄存器的输出端；

第二电容，其一端与所述第二传输门的输出端连接，其另一端连接低电平端；

所述第一传输门的第一控制端与第一时钟信号输出端连接；

所述第二传输门的第一控制端与第一时钟信号输出端连接；

所述第一传输门的第二控制端与第二时钟信号输出端连接；

所述第二传输门的第二控制端与第二时钟信号输出端连接；

所述第一控制端与第二控制端控制所述第一传输门与所述第二传输门的打开和关闭。

所述第一传输门包括：

第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；

所述第一薄膜晶体管的源极与所述第二薄膜晶体管的源极连接作为所述第一传输门的输入端；

所述第一薄膜晶体管的漏极与所述第二薄膜晶体管的漏极连接作为所述第一传输门的输出端；

所述第一薄膜晶体管的栅极作为所述第一传输门的第一控制端；

所述第二薄膜晶体管的栅极作为所述第一传输门的第二控制端；

所述第二传输门包括：

第三薄膜晶体管和第四薄膜晶体管；

所述第三薄膜晶体管的源极与所述第四薄膜晶体管的源极连接作为所述第二传输门的输入端；

所述第三薄膜晶体管的漏极与所述第四薄膜晶体管漏极连接作为所述第二传输门的输出端；

所述第三薄膜晶体管的栅极作为所述第二传输门的第一控制端；

所述第四薄膜晶体管的栅极作为所述第二传输门的第二控制端；

所述第一薄膜晶体管与第四薄膜晶体管为p沟道薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管与第三薄膜晶体管为n沟道薄膜晶体管。

第五薄膜晶体管，其源极连接低电平端，其栅极连接下一级移位寄存器的输出端，其漏极连接所述第一传输门的输出端；

所述第五薄膜晶体管为n沟道薄膜晶体管；

所述本级移位寄存器的输入端连接上一级移位寄存器的输出端。

在所述第二传输门的输出端与本级移位寄存器的输出端之间设置有缓冲级。

第六薄膜晶体管，其源极连接高电平端，其栅极与所述第二传输门的输出端连接；

第七薄膜晶体管，其源极连接低电平端，其栅极与第六薄膜晶体管的栅极连接，其漏极与第六薄膜晶体管的漏极连接；

第八薄膜晶体管，其源极连接高电平端，其栅极与第六薄膜晶体管的漏极连接；