[实用新型]移位寄存器及其栅极驱动装置

权利要求书

1.一种移位寄存器，其特征在于，包括：

第一传输门，其输入端连接本级移位寄存器的输入端；

第一电容，其一端与所述第一传输门的输出端连接，其另一端连接低电平端；

第二传输门，其输入端连接所述第一传输门的输出端，其输出端连接本级移位寄存器的输出端；

第二电容，其一端与所述第二传输门的输出端连接，其另一端连接低电平端；

所述第一传输门的第一控制端与第一时钟信号输出端连接；

所述第二传输门的第一控制端与第一时钟信号输出端连接；

所述第一传输门的第二控制端与第二时钟信号输出端连接；

所述第二传输门的第二控制端与第二时钟信号输出端连接；

所述第一控制端与第二控制端控制所述第一传输门与所述第二传输门的打开和关闭。

2.根据权利要求1所述的移位寄存器，其特征在于，

所述第一传输门包括：

第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；

所述第一薄膜晶体管的源极与所述第二薄膜晶体管的源极连接作为所述第一传输门的输入端；

所述第一薄膜晶体管的漏极与所述第二薄膜晶体管的漏极连接作为所述第一传输门的输出端；

所述第一薄膜晶体管的栅极作为所述第一传输门的第一控制端；

所述第二薄膜晶体管的栅极作为所述第一传输门的第二控制端；

所述第二传输门包括：

第三薄膜晶体管和第四薄膜晶体管；

所述第三薄膜晶体管的源极与所述第四薄膜晶体管的源极连接作为所述第二传输门的输入端；

所述第三薄膜晶体管的漏极与所述第四薄膜晶体管漏极连接作为所述第二传输门的输出端；

所述第三薄膜晶体管的栅极作为所述第二传输门的第一控制端；

所述第四薄膜晶体管的栅极作为所述第二传输门的第二控制端；

所述第一薄膜晶体管与第四薄膜晶体管为p沟道薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管与第三薄膜晶体管为n沟道薄膜晶体管。

3.根据权利要求2所述的移位寄存器，其特征在于，还包括：

第五薄膜晶体管，其源极连接低电平端，其栅极连接下一级移位寄存器的输出端，其漏极连接所述第一传输门的输出端；

所述第五薄膜晶体管为n沟道薄膜晶体管；

所述本级移位寄存器的输入端连接上一级移位寄存器的输出端。

4.根据权利要求3所述的移位寄存器，其特征在于，

在所述第二传输门的输出端与本级移位寄存器的输出端之间设置有缓冲级。

5.根据权利要求4所述的移位寄存器，其特征在于，所述缓冲级包括：

第六薄膜晶体管，其源极连接高电平端，其栅极与所述第二传输门的输出端连接；

第七薄膜晶体管，其源极连接低电平端，其栅极与第六薄膜晶体管的栅极连接，其漏极与第六薄膜晶体管的漏极连接；

第八薄膜晶体管，其源极连接高电平端，其栅极与第六薄膜晶体管的漏极连接；

第九薄膜晶体管，其源极连接低电平端，其栅极与第六薄膜晶体管的漏极连接，其漏极与第八薄膜晶体管的漏极连接且连接输出端；

所述第六薄膜晶体管与第八薄膜晶体管为p沟道薄膜晶体管，所述第七薄膜晶体管与第九薄膜晶体管为n沟道薄膜晶体管。

6.一种栅极驱动装置，其特征在于，包含权利要求1至5中任意一项所述的移位寄存器。