[实用新型]湿法清洗设备

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体制造领域，尤其涉及一种湿法清洗设备。

背景技术

晶圆在进行工艺处理(如沉积)之前其表面必须是清洁的，一旦晶圆表面被玷污，必须通过清洗而排除。所述玷污可能是来自环境中的污染物，或者是在前工艺过程中残留在晶圆表面的无用物。目前，湿法清洗是一种较为常用的清洗晶圆表面的方法。

图1所示为现有技术的湿法清洗设备，所述湿法清洗设备包括内槽110、外槽120、泵130、加热器140和过滤器150；所述内槽110设置在所述外槽120内，所述内槽110设有喷嘴111，所述外槽120设有排液口121，清洗液不断通过所述喷嘴111注入所述内槽110内，并盛满整个内槽110，由于所述内槽110内不断有清洗液注入，因此，不断有清洗液从所述内槽110溢出，从所述内槽110溢出的清洗液流入所述外槽120内，并通过所述排液口121排出，所述泵130为清洗液的流动提供驱动力，从所述排液口121排出的清洗液被所述泵130抽走并送入所述加热器140内加热，加热后的清洗液被输送到所述过滤器150内过滤，经过滤处理后的清洗液又通过所述喷嘴111送回所述内槽110内。使用所述湿法清洗设备清洗晶圆表面时，待清洗的晶圆210放置在晶舟220内，承载多片待清洗晶圆210的晶舟220置于所述内槽120内，所述湿法清洗设备通过清洗液的循环流动冲刷待清洗晶圆210的表面，达到清洗晶圆表面的目的。

颗粒(particle)是影响半导体器件制造质量的重要因素，在半导体制造业中，每天都要对机台进行颗粒检测。以上述湿法清洗设备为例，简单介绍现有技术的颗粒检测方法：现有技术的颗粒检测方法采用离线检测方法，使用专用测试晶圆，先测量测试晶圆表面一定直径以上颗粒的数量，计算得到单位面积的颗粒数量(称为前数据)，接着用上述湿法清洗设备清洗测试晶圆，清洗结束后，再次测量测试晶圆表面一定直径以上颗粒的数量，计算得到单位面积的颗粒数量(称为后数据)，比较后数据与前数据，以获得机台颗粒检测结果。

由以上描述可知，现有技术中，湿法清洗设备的颗粒检测采用离线检测方式，检测工作量较大。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种湿法清洗设备，可实时检测清洗液中颗粒含量，减少颗粒检测工作量。

为了达到上述的目的，本实用新型提供一种湿法清洗设备，包括外槽，设置于所述外槽内的内槽，依次连接的第一泵、加热器和过滤器，以及颗粒检测装置，所述内槽设有喷嘴，所述外槽设有排液口，所述第一泵与所述外槽的排液口连接，所述过滤器与所述内槽的喷嘴连接，所述颗粒检测装置的输入端通过样品输入管与所述过滤器的输出端连接，所述颗粒检测装置的输出端通过样品输出管与所述内槽的喷嘴连接。

上述湿法清洗设备，其中，所述颗粒检测装置包括冷却器和液体微粒子计数器，所述冷却器的输入端与所述样品输入管连接，所述冷却器的输出端与所述液体微粒子计数器的输入端连接，所述液体微粒子计数器的输出端与所述样品输出管连接。

上述湿法清洗设备，其中，所述液体微粒子计数器包括电磁阀、光谱分析仪和第二泵，所述电磁阀的输入端与所述冷却器的输出端连接，所述光谱分析仪的输入端与所述电磁阀的输出端连接，所述光谱分析仪的输出端与所述第二泵的输入端连接，所述第二泵的输出端与所述样品输出管连接。

本实用新型的湿法清洗设备可实时对清洗液进行颗粒检测，能在工艺过程中实现湿法清洗设备的颗粒检测，大大减少颗粒检测工作量；

本实用新型的湿法清洗设备对清洗液进行实时颗粒检测，可实时掌握清洗液中颗粒含量，当清洗液中颗粒含量超过设定范围时，能及时发现，可提高产品良率。

附图说明

本实用新型的湿法清洗设备由以下的实施例及附图给出。

图1是现有技术的湿法清洗设备的示意图。

图2是本实用新型实施例的湿法清洗设备的示意图。

图3是本实用新型实施例中颗粒检测装置的示意图。

具体实施方式

以下将结合图2～图3对本实用新型的湿法清洗设备作进一步的详细描述。

参见图2，本实用新型实施例的湿法清洗设备包括内槽310、外槽320、第一泵330、加热器340、过滤器350和颗粒检测装置360；

所述内槽310设置在所述外槽320内，所述内槽310设有喷嘴311，所述外槽320设有排液口321；

所述第一泵330的输入端与所述外槽320的排液口321连接，所述第一泵330的输出端与所述加热器340的输入端连接；