[实用新型]感光半导体器件的封装结构有效
| 申请号： | 201120326562.7 | 申请日： | 2011-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN202275834U | 公开（公告）日： | 2012-06-13 |
| 发明（设计）人： | 王蔚;王宥军;杨红颖;俞国庆 | 申请（专利权）人： | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 215026 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 感光 半导体器件 封装 结构 | ||
1.一种感光半导体器件的封装结构，其特征在于，包括：
待封装芯片，所述待封装芯片表面具有高像素感光区以及位于高像素感光区周围的第一焊垫；
位于所述封装芯片表面的封装基底，所述封装基底具有贯穿所述封装基底且暴露出所述高像素感光区的第一开口。
2.如权利要求1所述感光半导体器件的封装结构，其特征在于，所述第一开口的侧壁垂直待封装基底的表面或所述第一开口的侧壁与待封装基底表面具有倾斜角度。
3.如权利要求1所述感光半导体器件的封装结构，其特征在于，所述第一开口最小横截面积大于所述高像素感光区的面积。
4.如权利要求1所述感光半导体器件的封装结构，其特征在于，还包括：
贯穿所述待封装芯片的第二开口，且所述第二开口暴露出所述第一焊垫；
覆盖所述待封装芯片与所述高像素感光区相对的表面的隔离层，且所述隔离层覆盖所述第二开口的侧壁；
位于所述隔离层表面的再分布线路层，且所述再分布线路层位于所述第二开口底部，所述再分布线路层还与所述第一焊垫电连接；
覆盖所述再分布线路层的保护层；
位于所述保护层表面的凸点且所述凸点与所述再分布线路层电连接。
5.如权利要求1所述感光半导体器件的封装结构，其特征在于，所述第二开口为与所述第一焊垫位置正对的通孔。
6.如权利要求1所述感光半导体器件的封装结构，其特征在于，所述第二开口为与相邻的所述第一焊垫间切割线位置正对的沟槽，且所述沟槽暴露部分相邻的所述第一焊垫。
7.如权利要求1所述感光半导体器件的封装结构，其特征在于，高像素感光区像素为500万或500万以上。
8.如权利要求1所述感光半导体器件的封装结构，其特征在于，所述第一开口没有覆盖层或覆盖结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
