[实用新型]高功率因素高效率的驱动电路有效
| 申请号: | 201120288660.6 | 申请日: | 2011-08-10 |
| 公开(公告)号: | CN202190445U | 公开(公告)日: | 2012-04-11 |
| 发明(设计)人: | 李俊福 | 申请(专利权)人: | 李俊福 |
| 主分类号: | H05B37/02 | 分类号: | H05B37/02;H02M1/42 |
| 代理公司: | 北京天平专利商标代理有限公司 11239 | 代理人: | 孙刚 |
| 地址: | 中国台湾桃园县中*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 功率 因素 高效率 驱动 电路 | ||
1.一种高功率因素高效率的驱动电路,其用以驱动LED负载或驱动元件,其特征在于,其包括:
一供应电源,该供应电源为交流电源或直流电源,在为交流电源的情况下,先经过整流电路整流;
一感抗开关,其一端与供应电源相连接,一端接地;
一至多个感抗元件,其为固定感抗元件或可变感抗元件,其与感抗开关一端相连接,另一端与LED负载或驱动元件相串接,一至多个感抗元件彼此相串接或相并接;
一至多个容抗元件,其为固定感抗元件或可变感抗元件,其一端与LED负载或驱动元件相串接,一至多个容抗元件彼此相并接或相串接;以及
一容抗开关,其一端与容抗元件相连接,另一端接地,该容抗开关与感抗开关的导通时序相反。
2.如权利要求1所述的高功率因素高效率的驱动电路,其特征在于,LED负载或驱动元件两侧并联一具有两个电阻相串接的回路,两个电阻相接点作为保护控制或波形取样控制。
3.如权利要求1或2所述的高功率因素高效率的驱动电路,其特征在于,该感抗开关及容抗开关为MOSFET晶体管、高速晶体管或IC控制;感抗元件为磁性元件、电感元件或变压器;以及容抗元件为电容。
4.一种高功率因素高效率的驱动电路,其用以驱动LED负载或驱动元件,其特征在于,其包括:
一供应电源,该供应电源为交流电源或直流电源;
二感抗开关,一感抗开关一端与供应电源相连接,一感抗开关一端接地,二感抗开关相串接,其导通时序彼此相反;
一至多个感抗元件,其为固定感抗元件或可变感抗元件,一至多个感抗元件彼此相串接或相并接,然后一端与二感抗开关相串接处相连接,另一端与LED负载或驱动元件相串接;以及
两组容抗元件,各组容抗元件为一至多个固定容抗元件或可变容抗元件相并接或相串接而成,两组容抗元件彼此相串接,两组容抗元件一组容抗元件的一端与供应电源相连接,另一组容抗元件的一端接地,两组容抗元件相串接处与LED负载或驱动元件相连接。
5.如权利要求4所述的高功率因素高效率的驱动电路,其特征在于,LED负载或驱动元件两侧并联一具有两个电阻相串接的回路,两个电阻相接点作为保护控制或波形取样控制。
6.如权利要求4或5所述的高功率因素高效率的驱动电路,其特征在于,该感抗开关为MOSFET晶体管、高速晶体管或IC控制;感抗元件为磁性元件、电感元件或变压器;以及容抗元件为电容。
7.一种高功率因素高效率的驱动电路,其用以驱动LED负载或驱动元件,其特征在于,其包括:
一供应电源,该供应电源为交流电源或直流电源;
二感抗开关,一感抗开关一端与供应电源相连接,一感抗开关一端接地,二感抗开关相串接,其导通时序彼此相反;
一至多个感抗元件,其为固定感抗元件或可变感抗元件,一至多个感抗元件彼此相串接或相并接,然后一端与二感抗开关相串接处相连接,另一端与LED负载或驱动元件相串接;
二容抗开关,一容抗开关一端与供应电源相连接,一容抗开关一端接地,二容抗开关相串接,其导通时序彼此相反,一端与供应电源相接的容抗开关与一端接地的感抗开关的导通时序相同;以及
一至多个容抗元件,其为固定容抗元件或可变容抗元件,一至多个容抗元件彼此相并接或相串接,然后一端与二容抗开关相串接处相连接,另一端与LED负载或驱动元件相串接。
8.如权利要求7所述的高功率因素高效率的驱动电路,其特征在于,LED负载或驱动元件两侧并联一具有两个电阻相串接的回路,两个电阻相接点作为保护控制或波形取样控制。
9.如权利要求7或8所述的高功率因素高效率的驱动电路,其特征在于,该感抗开关及容抗开关MOSFET晶体管、高速晶体管或IC控制;感抗元件为磁性元件、电感元件或变压器;以及容抗元件为电容。
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