[实用新型]圆片级封闭孔互联结构有效
| 申请号： | 201120277285.5 | 申请日： | 2011-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN202134522U | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | 陈栋;张黎;段珍珍;陈锦辉;赖志明 | 申请（专利权）人： | 江阴长电先进封装有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L23/48 |
| 代理公司： | 江阴市同盛专利事务所 32210 | 代理人： | 唐纫兰 |
| 地址： | 214434 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 圆片级 封闭 联结 | ||
1.一种圆片级封闭孔互联结构，包括设置有芯片电极（2）及芯片感应区（3）的芯片本体（1），在所述芯片本体（1）及芯片电极（2）的上表面设置金属凸块（4）；在所述芯片本体（1）及金属凸块（4）的上表面设置隔离层（5），隔离层（5）不覆盖或者覆盖芯片感应区（3）；在所述隔离层（5）上表面设置有盖板（6），在隔离层（5）不覆盖芯片感应区（3）时，盖板（6）、隔离层（5）以及芯片本体（1）之间形成空腔（7）；在所述芯片本体（1）上形成硅孔（8）；在所述硅孔（8）孔壁及芯片本体（1）下表面设置绝缘层（9）；在所述绝缘层（9）及芯片电极（2）上形成连接孔（10），在所述连接孔（10）内及选择性的在绝缘层（9）上设置金属线路层（11）；在所述绝缘层（9）及金属线路层（11）上选择性的设置线路保护层（12）；在所述金属线路层（11）露出线路保护层（12）的地方设置焊球（13）；其特征在于：金属凸块（4）形成于芯片本体（1）及芯片电极（2）上表面，连接孔（10）贯穿于绝缘层（9）及芯片电极（2），且停止于金属凸块（4）表面或内部；金属线路层（11）与芯片电极（2）在连接孔（10）侧壁互联，且与金属凸块（4）在连接孔（10）底部或同时在连接孔（10）底部及侧壁互联。
2.根据权利要求1所述的一种圆片级封闭孔互联结构，其特征在于：所述连接孔（10）位于绝缘层（9）、芯片电极（2）以及金属凸块（4）的部分设置有两个或两个以上。
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