[实用新型]一种硅片容器有效

专利信息
申请号: 201120261431.5 申请日: 2011-07-22
公开(公告)号: CN202189764U 公开(公告)日: 2012-04-11
发明(设计)人: 沈彪;李向清;胡德良 申请(专利权)人: 江阴市爱多光伏科技有限公司
主分类号: H01L21/673 分类号: H01L21/673;H01L31/18
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 214423 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 硅片 容器
【权利要求书】:

1.一种硅片容器,其特征在于,所述容器包括:用透明材质制成的箱形主体,在所述箱形主体的顶部和底部形成有敞口,且所述箱形主体具有相对设置的第一侧壁和第二侧壁、连接所述第一侧壁和所述第二侧壁的第一端壁和第二端壁,在所述第一侧壁和所述第二侧壁的内面以固定间距、贯穿侧壁两端的方式设置有多个第一纵向凹槽和多个第二纵向凹槽,且所述多个第一纵向凹槽和多个第二纵向凹槽在横向一一对应;以及第一支脚和第二支脚,所述第一支脚和第二支脚分别连接在所述第一端壁和第二端壁的下端,且分别位于所述第一侧壁和第二侧壁的内侧,在所述第一支脚与所述第一侧壁以及所述第二支脚与所述第二侧壁间形成有敞口。

2.如权利要求1所述的硅片容器,其特征在于,其中,所述第一端壁为设有矩形开口的端壁,所述第二端壁为平板端壁。

3.如权利要求1所述的硅片容器,其特征在于,其中,在所述第一纵向凹槽和/或所述第二纵向凹槽的至少一个槽壁上形成有至少一个横向缺口。

4.如权利要求3所述的硅片容器,其特征在于,所述第一纵向凹槽和/或第二纵向凹槽的槽壁之上的横向缺口均匀分布。

5.如权利要求3所述的硅片容器,其特征在于,所述第一纵向凹槽和/或第二纵向凹槽的两个相邻槽壁之上的横向缺口交错分布。

6.如权利要求3所述的硅片容器,其特征在于,在所述第一侧壁和/或第二侧壁的上端形成有硅片导入部。

7.如权利要求1所述的硅片容器,其特征在于,在所述第一侧壁和/或第二侧壁的外表面形成有至少一根横梁。

8.如权利要求7所述的硅片容器,其特征在于,所述横向缺口贯穿或部分地断开所述第一凹槽和/或第二凹槽的槽壁。

9.如权利要求1所述的硅片容器,其特征在于,在所述第一支脚和第二支脚上分别对应地形成有两个定位槽。

10.如权利要求1所述的硅片容器,其特征在于,其中,在所述第一支脚和第二支脚上,在对应于所述第一纵向凹槽和第二纵向凹槽的槽壁的位置上还形成有锥形齿。

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