[实用新型]一种硅片容器有效
申请号: | 201120261431.5 | 申请日: | 2011-07-22 |
公开(公告)号: | CN202189764U | 公开(公告)日: | 2012-04-11 |
发明(设计)人: | 沈彪;李向清;胡德良 | 申请(专利权)人: | 江阴市爱多光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;H01L31/18 |
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地址: | 214423 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 硅片 容器 | ||
1.一种硅片容器,其特征在于,所述容器包括:用透明材质制成的箱形主体,在所述箱形主体的顶部和底部形成有敞口,且所述箱形主体具有相对设置的第一侧壁和第二侧壁、连接所述第一侧壁和所述第二侧壁的第一端壁和第二端壁,在所述第一侧壁和所述第二侧壁的内面以固定间距、贯穿侧壁两端的方式设置有多个第一纵向凹槽和多个第二纵向凹槽,且所述多个第一纵向凹槽和多个第二纵向凹槽在横向一一对应;以及第一支脚和第二支脚,所述第一支脚和第二支脚分别连接在所述第一端壁和第二端壁的下端,且分别位于所述第一侧壁和第二侧壁的内侧,在所述第一支脚与所述第一侧壁以及所述第二支脚与所述第二侧壁间形成有敞口。
2.如权利要求1所述的硅片容器,其特征在于,其中,所述第一端壁为设有矩形开口的端壁,所述第二端壁为平板端壁。
3.如权利要求1所述的硅片容器,其特征在于,其中,在所述第一纵向凹槽和/或所述第二纵向凹槽的至少一个槽壁上形成有至少一个横向缺口。
4.如权利要求3所述的硅片容器,其特征在于,所述第一纵向凹槽和/或第二纵向凹槽的槽壁之上的横向缺口均匀分布。
5.如权利要求3所述的硅片容器,其特征在于,所述第一纵向凹槽和/或第二纵向凹槽的两个相邻槽壁之上的横向缺口交错分布。
6.如权利要求3所述的硅片容器,其特征在于,在所述第一侧壁和/或第二侧壁的上端形成有硅片导入部。
7.如权利要求1所述的硅片容器,其特征在于,在所述第一侧壁和/或第二侧壁的外表面形成有至少一根横梁。
8.如权利要求7所述的硅片容器,其特征在于,所述横向缺口贯穿或部分地断开所述第一凹槽和/或第二凹槽的槽壁。
9.如权利要求1所述的硅片容器,其特征在于,在所述第一支脚和第二支脚上分别对应地形成有两个定位槽。
10.如权利要求1所述的硅片容器,其特征在于,其中,在所述第一支脚和第二支脚上,在对应于所述第一纵向凹槽和第二纵向凹槽的槽壁的位置上还形成有锥形齿。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造