[实用新型]TFT阵列基板以及液晶显示面板

说明书

技术领域

本实用新型涉及液晶显示技术领域，特别是涉及一种TFT阵列基板以及液晶显示面板。 

背景技术

液晶显示面板由TFT阵列基板和彩膜基板对盒并在两基板间注入液晶形成，在液晶面板的制造过程中，为了保持TFT阵列基板和彩膜基板之间的盒厚(Cell Gap)一致，主要的解决方法是在两个基板对盒之前在两基板之间加入一定厚度的隔垫物(Spacer)以保持盒厚。 

目前常用的隔垫物主要包括两类：球形隔垫物(Ball Spacer，简称BS)和柱形隔垫物(Photo Spacer，简称PS，也叫做支撑柱)。对于采用球形隔垫物的液晶显示面板来说，是通过喷洒方式将BS散布在TFT阵列基板或者彩膜基板上，在对盒过程中利用BS尺寸的一致性来保持盒厚一致，但是利用喷洒的方法会将BS喷洒于像素区域，导致BS周围液晶取向较差而产生漏光，引起对比度下降。而当利用PS制造液晶显示面板时，PS设置在彩膜基板的黑矩阵(Black Matrix，简称BM)处，精确的控制PS在每个像素上的位置，更加有效的防止了BS可能导致的像素区域漏光，从而达到控制盒厚和提高对比度的效果。 

通常来说，支撑柱包括主支撑柱(Main Photo Spacer，简称Main PS)和辅支撑柱(Sub Photo Spacer，简称Sub PS)，所述主支撑柱是在液晶显示面板内起决定间隙的支撑柱，所述辅支撑柱对液晶显示面板的间隙不能起到决定性作用，仅在液晶显示面板受到外力时起到提高弹力的作用。一般采用以下两种方式设计主支撑柱和辅支撑柱：一种是直接在彩膜基板一侧制作高度不同的PS，在TFT 阵列基板一侧制作等高度的PS衬垫来实现；另一种则是在彩膜基板一侧制作等高度的PS，在TFT阵列基板一侧制作高度不同的PS衬垫(将较高的PS衬垫称为主支撑柱衬垫，较低的PS衬垫称为辅支撑柱衬垫)，以等效实现主支撑柱和辅支撑柱之分，保证液晶显示面板具有一定的弹性。 

现有的TFT阵列基板通常包括：具有TFT阵列的基板以及至少一个支撑柱衬垫，所述支撑柱衬垫形成于基板上，所述支撑柱衬垫不用于构成存储电容。 

具体的，请参考图1至图6，现有的一种TFT阵列基板10包括： 

具有TFT阵列的基板100； 

形成于所述基板100上的扫描线101和公共电极102(具体如图7所示)； 

与所述扫描线101相交的数据线104； 

所述扫描线101和数据线104限定的像素区域内形成有TFT，其中，所述TFT包括：与所述扫描线101电连接的栅极101a(由于扫描线101与栅极101a通常在同一个工艺步骤中形成，因此二者位于同一层，并可以做成一体的)，依次形成于所述栅极101a上的栅绝缘层105、半导体层106和源/漏金属层103(通常形成TFT的源极的金属与形成漏极的金属在同一个工艺步骤中形成，因此二者位于同一层，统称为源/漏金属层)，所述TFT的源极(或漏极)104a与所述数据线104电连接(由于TFT的源极104a与数据线104通常在同一个工艺步骤中形成，因此二者位于同一层，并可以做成一体的)；以及 

通过过孔107与所述TFT的漏极(或源极)103a电连接的像素电极108； 

重点参考图5和图6，所述TFT阵列基板10包括主支撑柱衬垫109和辅支撑柱衬垫110，所述主支撑柱衬垫109由栅绝缘层105以及位于栅绝缘层105上的衬垫层111、源/漏金属层103和钝化层113共同构成(或者还包括位于衬垫层111和源/漏金属层103之间的欧姆接触层112)，所述辅支撑柱衬垫110则由栅绝缘层105以及位于栅绝缘层105上的衬垫层111和钝化层113共同构成。因此，所述辅支撑柱衬垫110的高度小于主支撑柱衬垫109的高度，从而在TFT阵列基板10上形成了高度不同的支撑柱衬垫。 

然而，由上述描述可知，现有的TFT阵列基板10具有以下缺点： 

首先，所述TFT阵列基板10的存储电容仅是由公共电极102、位于公共电极102上方的栅绝缘层和源/漏金属层共同构成，而所述主支撑柱衬垫109和辅支撑柱衬垫110均不用于形成存储电容，无法有效的利用现有的基板面积形成足够大的存储电容；

其次，由于在现有的TFT阵列基板10中，所述主支撑柱衬垫109和辅支撑柱衬垫110的四周均有漏光狭缝，并且所述公共电极102本身是不透光的，因此，这些区域均需被黑矩阵遮盖，这就导致需要在彩膜基板上设置较大面积的黑矩阵(如图8和图9中虚线所示)，才能保证不发生漏光，影响了液晶显示面板的开口率。