[实用新型]TFT阵列基板以及液晶显示面板有效
申请号: | 201120255786.3 | 申请日: | 2011-07-19 |
公开(公告)号: | CN202145253U | 公开(公告)日: | 2012-02-15 |
发明(设计)人: | 魏山山;张世晓 | 申请(专利权)人: | 上海天马微电子有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1339;H01L27/12 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑玮 |
地址: | 201201 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | tft 阵列 以及 液晶显示 面板 | ||
1.一种TFT阵列基板,包括:
基板,具有TFT阵列;以及
至少一个支撑柱衬垫,形成于所述基板上;
其特征在于,所述支撑柱衬垫包括存储电容。
2.如权利要求1所述的TFT阵列基板,其特征在于,还包括:
形成于所述基板上的扫描线和公共电极;
与所述扫描线相交的数据线;
所述扫描线和数据线限定的像素区域内形成有TFT,所述TFT包括:与所述扫描线电连接的栅极,依次形成于所述栅极上的栅绝缘层、半导体层和源/漏金属层,所述TFT的源极与所述数据线电连接;以及
通过过孔与所述TFT的漏极电连接的像素电极。
3.如权利要求2所述的TFT阵列基板,其特征在于,还包括形成于所述半导体层与所述源/漏金属层之间的欧姆接触层。
4.如权利要求3所述的TFT阵列基板,其特征在于,所述公共电极为所述存储电容的下极板,所述源/漏金属层为所述存储电容的上极板。
5.如权利要求4所述的TFT阵列基板,其特征在于,所述存储电容的介质层为所述栅极绝缘层、半导体层、欧姆接触层中的一种或其组合。
6.如权利要求1所述的TFT阵列基板,其特征在于,还包括形成于所述像素电极、源极、漏极、数据线和所述栅绝缘层上的钝化层。
7.如权利要求1所述的TFT阵列基板,其特征在于,包括至少一个主支撑柱衬垫和至少一个辅支撑柱衬垫,所述主支撑柱衬垫的高度大于辅支撑柱衬垫的高度。
8.如权利要求7所述的TFT阵列基板,其特征在于,所述主支撑柱衬垫和所述辅支撑柱衬垫所包括的存储电容大小相同。
9.如权利要求1所述的TFT阵列基板,其特征在于,所述支撑柱衬垫之外的区域上还具有存储电容。
10.一种液晶显示面板,其特征在于,包括:
如权利要求1至9中任意一项所述的TFT阵列基板;
与所述TFT阵列基板相对设置的彩膜基板,所述彩膜基板面向所述TFT阵列基板的一面上形成有黑矩阵层和色素层,在所述黑矩阵层对应于所述支撑柱衬垫的位置处形成有支撑柱;以及
设置于所述TFT阵列基板和彩膜基板之间的液晶层。
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