[实用新型]一种用于承载基板的玻璃条和平台装置有效
申请号: | 201120242141.6 | 申请日: | 2011-07-11 |
公开(公告)号: | CN202120884U | 公开(公告)日: | 2012-01-18 |
发明(设计)人: | 魏广伟;李景泉;黄雄天 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 承载 玻璃 平台 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及机械领域和液晶显示领域,特别是涉及用于承载基板的玻璃条和平台装置。
背景技术
目前TFT生产行业,生产设备用于承载基板的装置称为Stage(平台),其中Stage的样式有很多种,现在新兴技术使用最多的stage是由Glass Bar(玻璃条)间隔一定的距离组装而成。Glass bar与Glass bar之间的间距是用于robot(机器人)手臂取送Glass(基板),因此间隔距离较大。当很薄或者比较脆弱的基板放在Stage上时,会在间隔缝隙部位,产生向下的形变量,参见图1所示。每个Glass bar上有多个气孔,参见图2A和图2B所示。当气体通过GlassBar上的气孔向上吹起基板时,气孔上的基板部分被吹起,基板在气孔之间的间隔缝隙部位也会产生向下的形变量,参见图3和图4所示。
由于基板向下的形变,Glass Bar边缘很大的面积会和基板接触,当Clamp(夹具)向基板施加一个推力校正时,就会在Glass Bar的边缘产生一个很大的向下的摩擦力,Clamp推动基板会很费力。另外,不能使用一个很大的气压把基板完全吹起,否则由于基板形变量的不均匀,基板会飘移出Clamp所要校正的范围。并且,由于基板与Glass Bar都较光滑,如果基板与Glass Bar有接触面,会造成Glass Bar与基板之间有很大的粘附力,使得Clamp不能顺利把基板推动到正确的位置,造成设备的宕机,影响生产。以及,完全依靠气体将基板吹起,造成很大的气体消耗。目前采用的气体通常是CDA(干冷空气),该气体需要专门的设备产生,对该设备的性能要求和损耗都比较大。
实用新型内容
本实用新型实施例提供一种用于承载基板的玻璃条和平台装置,用于实现基板的承载,并便于对基板进行位置校正和减少气体的排出。
一种用于承载基板的玻璃条,包括:气孔和第一滚珠;
第一滚珠为球体,位于气孔内,且第一滚珠的最大直径大于气孔的入气口直径和出气口直径。
第一滚珠的最大直径小于气孔的最大直径。
当气体将第一滚珠托起时,第一滚珠超出气孔的高度使基板不与玻璃条接触。
玻璃条还包括:位于气孔出口处的凹槽和多个第二滚珠;
多个第二滚珠位于凹槽内;当气体将第一滚珠托起时,第一滚珠与第二滚珠接触。
第二滚珠有多个,且布满凹槽。
第一滚珠的材料为玻璃。
气孔包括吹气孔和吸气孔。
第一滚珠位于吹气孔内。
一种平台装置,包括如前述的玻璃条。
本实用新型实施例中在玻璃条的气孔中设置第一滚珠,向气孔吹气时,气体将第一滚珠托起,使第一滚珠顶起基板,减少基板与玻璃条直接的摩擦和粘附力。当Clamp推动基板时,第一滚珠随着基板的移动而滚动,使得Clamp可以轻松推动基板以校正位置,并第一滚珠与基板之间存在较小的摩擦,可防止基板漂移。
附图说明
图1为现有技术中基板在玻璃条间发生形变的示意图;
图2A为现有技术中玻璃条的结构图;
图2B为现有技术中气流的示意图;
图3和图4为现有技术中基板在气孔间发生形变的示意图;
图5为本实用新型实施例中玻璃条的结构图;
图6为本实用新型实施例中气流的示意图;
图7为本实用新型实施例中包括凹槽和第二滚珠的玻璃条的结构图。
具体实施方式
本实用新型实施例中在玻璃条的气孔中设置第一滚珠,向气孔吹气时,气体将第一滚珠托起,使第一滚珠顶起基板,减少基板与玻璃条直接的摩擦和粘附力。当Clamp推动基板时,第一滚珠随着基板的移动而滚动,使得Clamp可以轻松推动基板以校正位置,并第一滚珠与基板之间存在较小的摩擦,可防止基板漂移。
参见图5,本实施例中玻璃条500包括气孔501和第一滚珠502。
气孔501的横截面为圆形,可包括吹气孔5011和吸气孔5012,这样气体可以很方便的循环利用,减少损耗。玻璃条500可包括多个吹气孔5011和吸气孔5012,吹气孔5011与吸气孔5012相间排列成直线。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造