[实用新型]一种晶体硅太阳电池无效
申请号: | 201120232467.0 | 申请日: | 2011-07-04 |
公开(公告)号: | CN202120925U | 公开(公告)日: | 2012-01-18 |
发明(设计)人: | 黄钦;王平;李晓华 | 申请(专利权)人: | 常州盛世电子技术有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/0352 |
代理公司: | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人: | 金辉 |
地址: | 213144 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶体 太阳电池 | ||
1.一种晶体硅太阳电池,其特征在于:由减反射膜(2)、N型硅(3)、PN结(4)、P型硅(5)依次复合而成。
2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳电池,其特征在于:所述减反射膜(2)的表面上设置有网版图形印刷形成的上电极(1)。
3.根据权利要求2所述的晶体硅太阳电池,其特征在于:所述上电极(1)包括2根纵向对称的主栅(11)和54根横向等距分布的副栅(12)。
4.根据权利要求1所述的晶体硅太阳电池,其特征在于:所述P型硅(5)的下表面上设置有网版图形印刷形成的下电极(6)。
5.根据权利要求4所述的晶体硅太阳电池,其特征在于:所述下电极(6)包括背电场(62)和3组成对的背电极(61)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的