[实用新型]一种阵列基板及显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及液晶显示技术领域，特别涉及一种阵列基板及显示装置。

背景技术

高级超维场开关技术(Advanced-Super Dimensional Switching；简称：AD-SDS)通过同一平面内像素电极或公共电极边缘所产生的平行电场以及像素电极与公共电极间产生的纵向电场形成多维电场，使液晶盒内像素电极或公共电极之间、像素电极或公共电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转转换，从而提高了平面取向系液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场开关技术可以提高TFT-LCD画面品质，具有高透过率、宽视角、高开口率、低色差、低响应时间、无挤压水波纹(push Mura)波纹等优点。

现有技术中，可以对具体的结构进行改造，得到很多种AD-SDS模式的阵列基板。比如使用高开口率AD-SDS技术制作的阵列基板，像素电极与源漏电极位于同一层，像素电极不需要过孔即可以与漏电极连接，具有高开口率，高亮度等特点。但由于将像素电极层沉积在沟道半导体层上面，通过刻蚀工艺去除部分像素电极层，被去除的像素电极层可能残留，这样会导致薄膜晶体管特性下降。

若使用翻转缘AD-SDS技术把像素电极层形成在栅绝缘层下面，然后在像素电极层和漏电极分别形成过孔，在形成公共电极的时，通过金属线连接像素电极层和漏电极。这样可以避免像素电极层残留导致的薄膜晶体管的影响，但在一个像素区域有两个过孔，对薄膜晶体管的开口率有比较大的影响。

因此，现有技术中的阵列基板存在缺陷，需要进一步的改进。

实用新型内容

本实用新型实施例提供的一种阵列基板及显示装置，可以提高薄膜晶体管的开口率，而且避免残留像素电极层对薄膜晶体管的影响。

本实用新型实施例提供一种阵列基板，包括：

形成在基板上的像素电极层和栅线；

形成在所述基板、像素电极层和栅线上的栅极绝缘层；

形成在所述栅极绝缘层上的源漏电极层；

形成在所述源漏电极层上的钝化层；

在所述钝化层、源漏电极层和栅极绝缘层形成的过孔；

形成在所述钝化层上、通过所述过孔将漏电极与所述像素电极层连接的部分电极层；

形成在所述钝化层上的公共电极层。

较佳的，还包括：

形成在所述像素电极层上，或者形成在所述像素电极层下的过孔金属块。

较佳的，所述过孔金属块部分或者全部与所述像素电极层接触。

较佳的，所述过孔金属块采用和栅线同样的金属材料和薄膜结构。

较佳的，所述过孔金属块的材料为钕化铝、或铝、或铜、或钼、或钨化钼、或铬制作的单层膜；或者为钕化铝、或铝、或铜、或钼、或钨化钼、或铬任意组合制作的复合膜。

较佳的，所述过孔金属块的厚度为至

较佳的，所述过孔底部与全部或部分位于所述过孔金属块上。

较佳的，还包括：

形成在所述栅极绝缘层上的有源层；

形成在所述有源层上的欧姆接触层。

较佳的，所述源漏电极层为钼、或钨化钼、或铬制作的单层膜；或者为钼、或钨化钼、或铬任意组合制作的复合膜。

较佳的，所述像素电极层为氧化铟锡单层膜或氧化铟锌单层膜、或者氧化铟锡和氧化铟锌的复合膜。

较佳的，所述公共电极层为氧化铟锡单层膜或氧化铟锌单层膜、或者氧化铟锡和氧化铟锌的复合膜。

本实用新型实施例还提供了一种显示装置，包括：上述阵列基板。

本实用新型实施例提供的阵列基板及显示装置，通过在沉积公共电极层之前，在像素电极层上方刻蚀形成过孔，使得公共电极层沉积时，在过孔处形成部分电极层，漏电极通过该部分电极层与像素电极层连接，在有效提高了薄膜晶体管的开口率的同时，避免了刻蚀后残余公共电极层对薄膜晶体管特性的影响。

附图说明

图1为本实用新型实施例中阵列基板的结构示意图；

图2为本实用新型另一实施例中阵列基板的结构示意图；

图3为本实用新型实施例中过孔金属块与像素电极层的位置示意图；

图4为本实用新型实施例中过孔金属块与过孔的位置示意图；

图5为本实用新型实施例中像素电极层示意图；

图6为本实用新型实施例中栅线和过孔金属块形成后的阵列基板俯视图；

图7为本实用新型实施例中栅线和过孔金属块形成后的阵列基板截面结构示意图；

图8为本实用新型实施例中源漏电极层形成后的阵列基板俯视图；