[实用新型]一种阵列基板及显示装置有效
| 申请号： | 201120229054.7 | 申请日： | 2011-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN202093289U | 公开（公告）日： | 2011-12-28 |
| 发明（设计）人： | 谢振宇 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 李娟 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 显示装置 | ||
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
形成在基板上的像素电极层和栅线；
形成在所述基板、像素电极层和栅线上的栅极绝缘层；
形成在所述栅极绝缘层上的源漏电极层；
形成在所述源漏电极层上的钝化层；
在所述钝化层、源漏电极层和栅极绝缘层形成的过孔；
形成在所述钝化层上、通过所述过孔将漏电极与所述像素电极层连接的部分电极层；
形成在所述钝化层上的公共电极层。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述部分电极层采用和公共电极层相同的材料和薄膜结构。
3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：
形成在所述像素电极层上，或者形成在所述像素电极层下的过孔金属块。
4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述过孔金属块部分或者全部与所述像素电极层接触。
5.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述过孔金属块采用和栅线同样的材料和薄膜结构。
6.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述过孔金属块的材料为钕化铝、或铝、或铜、或钼、或钨化钼、或铬制作的单层膜；或者为钕化铝、或铝、或铜、或钼、或钨化钼、或铬任意组合制作的复合膜。
7.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述过孔金属块的厚度为至
8.如权利要求3-7任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述过孔底部全部或部分位于所述过孔金属块上。
9.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：
形成在所述栅极绝缘层上的有源层；
形成在所述有源层上的欧姆接触层。
10.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述源漏电极层为钼、或钨化钼、或铬制作的单层膜；或者为钼、或钨化钼、或铬任意组合制作的复合膜。
11.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极层为氧化铟锡单层膜或氧化铟锌单层膜、或者氧化铟锡和氧化铟锌的复合膜。
12.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极层为氧化铟锡单层膜或氧化铟锌单层膜、或者氧化铟锡和氧化铟锌的复合膜。
13.一种显示装置，其特征在于，包括：权利要求1-12中任一项所述的阵列基板。
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