[实用新型]一种半导体加工设备有效
申请号: | 201120195588.2 | 申请日: | 2011-06-10 |
公开(公告)号: | CN202164352U | 公开(公告)日: | 2012-03-14 |
发明(设计)人: | 贾士亮 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/00;H01L21/00 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100026 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体 加工 设备 | ||
技术领域
本实用新型涉及半导体技术领域,尤其涉及一种半导体加工设备。
背景技术
在半导体技术领域,化学气相沉积(CVD,Chemical Vapor Deposition)设备应用十分广泛,主要用于形成绝缘介质层、互联层等薄膜。
以太阳能电池制造工艺中的等离子体增强化学气相沉积(PECVD,Plasma Enhance Chemical Vapor Deposition)设备为例,包括反应腔室,反应腔室的腔室壁上设置有观察窗,一般为透明石英玻璃窗,通过观察窗对反应腔室内部情况进行监测,例如,监测反应腔室内是否放置了衬底载板。
由于工艺进行中会生成大量工艺粉尘,而生成的工艺粉尘会由于扩散作用漂移到半导体加工设备反应腔室内部的各个角落,包括观察窗的位置。因此,在设备长时间运转后,观察窗表面就会沉积上大量粉尘,因此,将无法通过观察窗对反应腔室内部情况进行有效监测。这时,通常的处理措施是停机,更换或擦拭观察窗,因此使产能的降低。
实用新型内容
本实用新型的主要目的在于,提供一种半导体加工设备,能够有效提高产能。
为达到上述目的,本实用新型采用如下技术方案:
一种半导体加工设备,包括反应腔室,所述反应腔室的腔室壁上设置有观察窗,所述反应腔室内部还设置有保护罩,所述保护罩罩设于所述观察窗上;
所述保护罩相对于所述观察窗的一侧设置有开口;
所述保护罩内设置有将经所述观察窗入射的光从所述开口射出或将经所述开口入射的光从所述观察窗射出的第一光学装置。
本实用新型提供的半导体加工设备,在反应腔室内设置了保护罩以使观察窗不直接暴露于反应腔室中,同时通过保护罩内第一光学装置的设置使反应腔室外部的光能够经观察窗入射至反应腔室内部,显然反应腔室内部的光也能够经观察窗出射至反应腔室外部,因此,既能够通过观察窗对反应腔室内部情况进行有效监测,同时通过保护罩对观察窗进行了有效保护,从而有效避免半导体加工设备运行时观察窗上的粉尘沉积,明显延长了观察窗的使用周期,因此有效提高了产能。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型实施例提供的半导体加工设备的一种结构示意图;
图2为本实用新型实施例提供的半导体加工设备的另一种结构示意图;
图3为本实用新型实施例提供的半导体加工设备的另一种结构示意图;
图4为本实用新型实施例提供的半导体加工设备的原理示意图;
图5为本实用新型实施例提供的半导体加工设备的原理示意图;
图6为本实用新型实施例提供的半导体加工设备的原理示意图;
图7为本实用新型实施例提供的半导体加工设备的原理示意图;
图8为本实用新型实施例提供的半导体加工设备的另一种结构示意图;
图9为本实用新型实施例提供的半导体加工设备的原理示意图;
图10为本实用新型实施例提供的半导体加工设备的原理示意图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
本实用新型提供的半导体加工设备,如图1所示,包括:
反应腔室1,反应腔室1的腔室壁上设置有观察窗2,反应腔室1内部还设置有保护罩3,保护罩3罩设于观察窗2上;保护罩3相对于观察窗2的一侧设置有开口30;保护罩3内设置有能够将从观察窗2入射的光L反射出开口30或将从开口30入射的光反射出观察窗2的第一光学装置400。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司,未经北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201120195588.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的