[实用新型]一种半导体加工设备

权利要求书

1.一种半导体加工设备，包括反应腔室，所述反应腔室的腔室壁上设置有观察窗，其特征在于，

所述反应腔室内部还设置有保护罩，所述保护罩罩设于所述观察窗上；

所述保护罩相对于所述观察窗的一侧设置有开口；

所述保护罩内设置有将经所述观察窗入射的光从所述开口射出或将经所述开口入射的光从所述观察窗射出的第一光学装置。

2.根据权利要求1所述的半导体加工设备，其特征在于，

所述第一光学装置包括第一反射镜和第二反射镜，所述第一反射镜相对于所述观察窗设置，所述第二反射镜相对于所述第一反射镜设置；

所述反应腔室外部的光线通过所述观察窗入射至所述第一反射镜，经所述第一反射镜反射后入射至所述第二反射镜，经所述第二反射镜反射后，通过所述保护罩的开口入射至所述反应腔室内部；或者，

所述反应腔室内部的光线通过所述保护罩的开口入射至所述第二反射镜，经所述第二反射镜反射后入射至所述第一反射镜，经所述第一反射镜反射后通过所述观察窗射出。

3.根据权利要求2所述的半导体加工设备，其特征在于，所述第一反射镜与所述第二反射镜平行相对设置。

4.根据权利要求2所述的半导体加工设备，其特征在于，所述第一反射镜以规定角度相对于所述观察窗设置，所述规定角度在0度至90度之间。

5.根据权利要求4所述的半导体加工设备，其特征在于，所述规定角度为45度。

6.根据权利要求2所述的半导体加工设备，其特征在于，所述第二反射镜可滑动的设置在所述保护罩内。

7.根据权利要求6所述的半导体加工设备，其特征在于，所述第一反射镜可滑动的设置在所述保护罩内。

8.根据权利要求1所述的半导体加工设备，其特征在于，所述开口处连接有延伸保护部。

9.根据要求1至8任一项所述的半导体加工设备，其特征在于，

所述半导体加工设备还包括设置于所述反应腔室外部的探测装置，所述探测装置对应于所述观察窗设置；

所述反应腔室内部还设置有第二光学装置，所述探测装置发出的光经所述观察窗入射至所述反应腔室内部，并通过所述反应腔室内部的所述第二光学装置经所述观察窗射出，被所述探测装置所接收。

10.根据要求1至8任一项所述的半导体加工设备，其特征在于，

所述观察窗包括对称设置的第一观察窗和第二观察窗；

所述半导体加工设备还包括设置于所述反应腔室外部的光发射器和光接收传感器，所述光发射器对应于所述第一观察窗设置，且所述光接收传感器对应于所述第二观察窗设置；

当所述反应腔室内部未放置有衬底载板时，所述光发射器发出的光经所述第一观察窗入射至所述反应腔室内部，并经所述第二观察窗从所述反应腔室内射出，被所述光接收传感器所接收。