[实用新型]同时驱入镍并调整阈值电压的金属诱导多晶硅薄膜晶体管

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种晶体管，更具体地，本实用新型涉及一种实现镍驱入和阈值电压调整的多晶硅薄膜晶体管。 

背景技术

低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS TFT)被认为是用于下一代平板显示器的良好候选元件。较低的处理温度(600℃以下)使得LTPS TFT适合用于低成本的玻璃衬底。当用作像素的切换晶体管时，多晶硅TFT的较高的迁移性比硅TFT能够提供更高的开口率，多晶硅的较高迁移性还可以使得外围驱动电路集成在玻璃衬底上，并且实现平板上系统。 

金属诱导晶化被认为是获取高质量多晶硅的快速的和低成本的方法，少量的镍被引入非晶硅中。在热退火的条件下，扩散到Si中并且形成NiSi₂，用作晶化的晶体，还会在多晶硅中引入金属污染，导致泄漏电流的增加。 

为了降低镍残渣的数量和晶粒边界，已经开发了不同的金属诱导晶化工艺，包括金属诱导横向晶化、金属诱导非横向晶化，基于MIC的解决方案，通过覆盖层的MIC等工艺。近期，提出用于n沟道多晶硅TFT的MILC工艺的一种新的方法，该方法使用氟注入工艺来将镍驱入a-Si中。在注入工艺之后，在退火之前去除遗留在a-Si的表面上的镍。 

然而，多晶硅薄膜本质上总是n型的，从而，对于p沟道TFT，阈值电压总是很高，并且易于通过硼注入来掺杂到沟道中，来实现阈值电压的调整。该操作通常在镍沉积和热退火之前进行，用于完全激活掺杂物。但是，沟道 掺杂会导致产生更高的漏电流，电流开关率下降，并且会产生不一致的更低的阈值电压。 

实用新型内容

为克服现有技术的上述缺陷，提出了同时驱入镍并调整阈值电压的金属诱导多晶硅薄膜晶体管，包括：衬底，位于衬底上的有源层，其特征在于，在低温氧化物层上蚀刻出相互间隔的诱发线，将磁控溅射的镍作为栅极电极；注入硼，去除低温氧化物层来限定有源岛。 

硼注入的注入能量和剂量分别是40KeV和5E12/cm²，或者注入能量和剂量分别是12KeV和4E15/cm²。 

有源层为低压化学气象沉积的45nm a-Si。 

所述诱发线为将LTO层蚀刻形成的多个相互间隔90μm的、宽度为8μm的沟槽。 

所述镍通过Ni/Si合金靶沉积到取样表面上，沉积的Ni-Si薄膜的厚度低于5nm。 

所述衬底为500nm热氧化层覆盖的4英寸的c-Si晶片。 

附图说明

图1示出硼注入过程来驱入镍的方案； 

图2示出三类设备的制造过程的流程图； 

图3示出所产生的装置以及有源岛到诱导线的相对偏移的顶视图； 

图4示出三种类型的装置的传输特性。 

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本实用新型提供的实现镍驱入和阈值电压调 整的多晶硅薄膜晶体管进行详细描述。 

总的来说，本实用新型提供一种金属诱导晶化多晶硅(poly-Si)薄膜晶体管的制造方法，通过在镍溅射之后进行硼离子注入而同时实现阈值电压调整和镍驱入。 

制造方法开始时，使用500nm热氧化层覆盖的4英寸的c-Si晶片作为衬底。通过低压化学气象沉积(LPCVD)沉积45nm的a-Si有源层，之后沉积100nm厚的低温氧化物(LTO)。随后将LTO层蚀刻，形成多个相互间隔90μm的、宽度为8μm的诱发线。随后，通过在氩环境下使用7W的功率以9mTorr来磁控溅射6分钟，使用Ni/Si合金靶将Ni沉积到取样表面上。沉积之后的Ni-Si薄膜的厚度大约低于5nm。 

将上述所得分为三种类型的TFT，样本A、样本B和样本C。其中，样本A用作传统的MIUC TFT。在Ni-Si溅射之后，样本A直接在590℃下退火10小时，退火之后通过硫酸将多余的镍清除。对于样本B和C，在镍溅射之后使用两种不同的方案进行硼注入。对于样本B，注入能量和剂量分别是40KeV和5E12/cm²。而对于样本C，注入能量和剂量分别是12KeV和4E15/cm²。图1示出该晶体管的结构以及示出硼注入过程来驱入镍的方案。 

样本B和C上的镍在注入之后通过硫酸去除。样本B和C还在氮气中以590℃退火10小时，来完全晶化。图2示出三类样本的制造过程的流程图。样本上的LTO全部被移除，并且进行了有源岛定义。