[实用新型]同时驱入镍并调整阈值电压的金属诱导多晶硅薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201120182395.3 | 申请日： | 2011-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN202183377U | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 赵淑云;郭海成;凌代年;邱成峰;贾洪亮;黄飚;黄宇华;史亮亮;张峰 | 申请（专利权）人： | 广东中显科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京瑞恒信达知识产权代理事务所(普通合伙) 11382 | 代理人： | 曹津燕 |
| 地址： | 528225 广东省佛山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 同时 驱入镍 调整 阈值 电压 金属 诱导 多晶 薄膜晶体管 | ||
【权利要求书】：
1.同时驱入镍并调整阈值电压的金属诱导多晶硅薄膜晶体管，包括：衬底，位于衬底上的有源层，其特征在于，在低温氧化物层上蚀刻出相互间隔的诱发线，将磁控溅射的镍作为栅极电极；注入硼，去除低温氧化物层来限定有源岛。
2.根据权利要求1所述的金属诱导多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，硼注入的注入能量和剂量分别是40KeV和5E12/cm2，或者注入能量和剂量分别是12KeV和4E15/cm2。
3.根据权利要求1所述的金属诱导多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，有源层为低压化学气象沉积的45nm a-Si。
4.根据权利要求1所述的金属诱导多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，所述诱发线为将LTO层蚀刻形成的多个相互间隔90μm的、宽度为8μm的沟槽。
5.根据权利要求4所述的金属诱导多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，所述镍通过Ni/Si合金靶沉积到取样表面上，沉积的Ni-Si薄膜的厚度低于5nm。
6.根据权利要求5所述的金属诱导多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，所述衬底为500nm热氧化层覆盖的4英寸的c-Si晶片。
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