[实用新型]多晶硅还原炉顶部进气装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种进气装置，特别是一种多晶硅还原炉顶部进气装置，属于太阳能光伏能源技术领域。

背景技术

随着国内外电子信息产业飞速发展和对新能源的巨大需求，多晶硅产品市场一直方兴未艾。在多晶硅生产工艺中，还原炉性能优劣已成为制约产业发展的一大瓶颈。产品硅料的合格率普遍不高，严重影响多晶硅行业的发展，而且，随着市场竞争的日益加剧，业界也迫切希望增产降耗，降低运行成本。

多晶硅还原炉作为硅料生产的核心装置，其性能参数要求非常苛刻，结构合理与否，直接影响到生产的硅料的质量。多晶硅生产存在两大问题，分别是硅料致密程度低和硅料纯度不达标。这两大问题，很大程度上受工艺气体进出气方式的影响。业内，工艺气体进气方式多从底部进气，这种进气方式，对进气口的结构参数提出了极高的要求。进气口结构设计的不合理，易造成硅料上下部生长不均匀，上部硅料生长速度慢，致密程度低，硅料整体纯度低下，不能达到产品标准要求，并由此带来了一系列生产过程中的问题，如倒棒、断棒等等，导致还原生产非正常停车，导致还原炉生产效率低，生产过程存在安全隐患，制约多晶硅产业的发展。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种多晶硅还原炉顶部进气装置，使工艺气体从顶部进气，使工艺气体进气合理分布，使得硅料上下部生长均匀，致密程度高，硅料整体纯度高，提高还原炉的生产效率，节能降耗，降低生产成本，提高设备安全性和稳定性。

为了解决上述技术问题，本实用新型提供一种多晶硅还原炉顶部进气装置，包括进气总管、进气分配管、连接进气分配管与还原炉的进气支管。

作为本实用新型的一种优选方案，所述进气支管末端设有喷嘴。

作为本实用新型的一种优选方案，所述进气总管位于还原炉顶部。

作为本实用新型的一种优选方案，所述进气分配管位于还原炉顶部。

作为本实用新型的一种优选方案，所述进气分配管为环形。

作为本实用新型的一种优选方案，所述进气支管为五个，其中一个位于还原炉中心，其余四个按环形均匀分布。

作为本实用新型的一种优选方案，所述进气支管位于还原炉封头、或者筒体，或者其他任意顶部位置，或者其组合。

作为本实用新型的一种优选方案，所述进气支管垂直于所在还原炉壳体。

作为本实用新型的一种优选方案，所述多晶硅还原炉顶部进气装置可与其他任意进气装置混合使用或单独使用。

本实用新型通过在还原炉顶部设置进气装置，形成独特的工艺气体进气形式，改善了还原炉内部气体分布情况，特别是还原炉上方的气体分布情况，使硅料的生长更均匀，更致密，提高了硅料的产品质量，减少了生产中非正常停车的次数，提高了设备安全性和稳定性。

附图说明

图1是本实用新型多晶硅还原炉顶部进气装置的剖视图。

附图标记：1.进气总管，2.进气分配管，3.进气支管，4.喷嘴。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步说明，以使本领域的技术人员可以更好的理解本实用新型并能予以实施，但所举实施例不作为对本实用新型的限定。

如图1所示，本实用新型的多晶硅还原炉顶部进气装置，包括进气总管1、设置在还原炉上的进气分配管2、连接进气分配管与还原炉的进气支管3。

进气总管1进气口位于还原炉中下部，另一端与进气分配管2通过焊接连接。

进气分配管2为环形，位于还原炉顶部。

进气支管3数量为5个，其中一个位于还原炉中心，其余四个按环形均匀布置，各个进气支管3末端均设置喷嘴4。

在运行时，工艺气体由进气总管1进入，流经进气分配管2进行气体分配，分配后的气体经过各个进气支管3，由喷嘴4进入还原炉内部。工艺气体经进气分配管2分配后，进入还原炉时的总体分布更加均匀合理，喷嘴4使局部的气体分布更加均匀合理，实现了使硅料生长均匀、致密、高效的目的，也降低了生产能耗，提高了设备的安全性和稳定性。