[实用新型]阵列基板及液晶显示装置无效
| 申请号: | 201120163757.4 | 申请日: | 2011-05-20 |
| 公开(公告)号: | CN202057935U | 公开(公告)日: | 2011-11-30 |
| 发明(设计)人: | 李成;董学;黎蔚 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343;G02F1/133;G06F3/041;H01L27/02 |
| 代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 阵列 液晶 显示装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及液晶显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板及液晶显示装置。
背景技术
触摸屏(Touch panel)是一种感应式显示装置;当有物体(比如手指)接触了触摸屏屏幕上的图形按钮时,屏幕上的触觉反馈系统可根据预先编程的程序驱动各种连结装置从而快速确定发生触碰动作的位置。现阶段,常见的触摸屏主要有压力式、电阻式、电容式等多种实现方式。
将触摸屏技术与液晶显示技术相结合后,即可得到便于移动且操作方便的触控式液晶显示器。其主要实现方式如下:在传统的液晶显示装置的彩膜基板的外侧独立地叠加一层触摸屏结构;所述触摸屏结构和液晶显示装置可以使用相同的驱动单元和/或数据处理单元。
在使用现有的触控式液晶显示器的过程中,发明人发现现有技术中至少存在如下问题:由于现有的触控式液晶显示器中的触摸屏结构是独立地设置在液晶显示面板外侧,这样不仅使得触控式液晶显示装置的制作成本较高,而且不利于液晶显示装置的薄型化。
实用新型内容
本实用新型的实施例提供一种阵列基板及液晶显示装置,能够降低触控式液晶显示装置的生产成本,而且有利于液晶显示装置的薄型化。
为达到上述目的,本实用新型的实施例采用如下技术方案:
一种阵列基板,包括形成在该阵列基板上的栅线、数据线以及由栅线和数据线所限定的多个像素单元;而且,在所述阵列基板上还形成有多个触控结构;所述触控结构包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管,以及与所述栅线平行设置的开关信号线,与所述数据线平行设置的预置信号线、发射信号线和反馈信号线;其中,
所述第一薄膜晶体管的栅极与所述开关信号线相连,其源极与所述预置信号线相连,其漏极通过一触控电极与所述第二薄膜晶体管的栅极相连;
所述第二薄膜晶体管的源极与所述发射信号线相连,其漏极与所述反馈信号线相连。
一种液晶显示装置,包括彩膜基板和上述阵列基板。
本实用新型实施例提供的阵列基板及液晶显示装置,通过在阵列基板上设置触控结构来实现一种集成到液晶盒内的触控装置;其中,在没有触摸动作出现时,所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管均处于稳定状态,所述第二薄膜晶体管的漏极输出的反馈信号也基本恒定;在出现触摸动作时,彩膜基板和所述触控电极之间或者手指与所述触控电极之间产生感应电容,使所述第二薄膜晶体管的栅极电压发生变化,进而所述第二薄膜晶体管的漏极电流的大小;此时,通过所述反馈信号线将所述第二薄膜晶体管的漏极电流变化情况传送到数据处理单元即可对触摸位置进行定位。利用本实用新型实施例提供的方案,不仅可以实现触摸位置的准确定位,而且由于触控结构内置于液晶盒内,因此大大降低了触控式液晶显示装置的生产成本,而且有利于液晶显示装置的薄型化。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型实施例中阵列基板上触控结构的等效电路示意图;
图2为本实用新型实施例中阵列基板的一种实现方式的结构示意图;
图3为本实用新型实施例中阵列基板的另一种实现方式的结构示意图;
图4为本实用新型实施例中提供的阵列基板制造方法的方框流程图;
图5为本实用新型实施例中阵列基板制造过程中的结构示意图之一;
图6为本实用新型实施例中阵列基板制造过程中的结构示意图之二;
图7为本实用新型实施例中的第二薄膜晶体管的工作状态示意图;
图8为本实用新型实施例中开关信号、预置信号和发射信号的时序图示例;
图9为本实用新型实施例中TN型液晶显示器实现触控的原理图;
图10为本实用新型实施例中AD-SDS型液晶显示器实现触控的原理图;
附图标记:1-栅线;2-数据线;3-像素薄膜晶体管;4-公共电极;10-阵列基板;20-彩膜基板;
11-第一薄膜晶体管;11a-第一薄膜晶体管栅极;11b-第一薄膜晶体管源极;11c-第一薄膜晶体管漏极;
12-第二薄膜晶体管;12a-第二薄膜晶体管栅极;12b-第二薄膜晶体管源极;12c-第二薄膜晶体管漏极;
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