[实用新型]阵列基板及液晶显示装置无效
| 申请号: | 201120163757.4 | 申请日: | 2011-05-20 |
| 公开(公告)号: | CN202057935U | 公开(公告)日: | 2011-11-30 |
| 发明(设计)人: | 李成;董学;黎蔚 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343;G02F1/133;G06F3/041;H01L27/02 |
| 代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 阵列 液晶 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,包括形成在该阵列基板上的栅线、数据线以及由栅线和数据线所限定的多个像素单元;其特征在于,在所述阵列基板上还形成有多个触控结构;所述触控结构包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管,以及与所述栅线平行设置的开关信号线,与所述数据线平行设置的预置信号线、发射信号线和反馈信号线;其中,
所述第一薄膜晶体管的栅极与所述开关信号线相连,其源极与所述预置信号线相连,其漏极通过一触控电极与所述第二薄膜晶体管的栅极相连;
所述第二薄膜晶体管的源极与所述发射信号线相连,其漏极与所述反馈信号线相连。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,在横向相邻的三个像素单元中设置一个所述触控结构。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述触控结构的所述预置信号线、发射信号线和反馈信号线分别位于所述三个像素单元的左侧;
所述第一薄膜晶体管设置在所述预置信号线和所述发射信号线之间,所述第二薄膜晶体管设置在所述发射信号线和所述反馈信号线之间。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述触控电极与所述像素单元中的像素电极同层制作;
所述第一薄膜晶体管的漏极和所述第二薄膜晶体管的栅极均是通过过孔与所述触控电极相连。
5.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述第二薄膜晶体管的漏极与所述反馈信号线通过一连接电极相连。
6.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述连接电极与所述像素单元中的像素电极同层制作;
所述第二薄膜晶体管的漏极和所述反馈信号线均通过过孔与所述连接电极相连。
7.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,每个所述触控结构形成在同一像素单元内。
8.根据权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述触控结构中的所述预置信号线设置在所述同一像素单元的左侧,所述发射信号线和反馈信号线设置在所述同一像素单元的右侧。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述触控结构的开关信号线与所述栅线为同一结构。
10.根据权利要求1至8中任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述触控电极采用氧化铟锡薄膜或者氮化铝薄膜。
11.根据权利要求1至8中任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述像素单元中的像素电极采用透明电极或者半透半反电极。
12.一种液晶显示装置,包括彩膜基板和阵列基板;其特征在于,所述阵列基板采用权利要求1至11中任一项所述的阵列基板。
13.根据权利要求12所述的液晶显示装置,其特征在于,所述阵列基板上的触控结构中的开关信号线、预置信号线和发射信号线中传输的信号由同一时序控制器提供。
14.根据权利要求13所述的液晶显示装置,其特征在于,所述预置信号线中传输的预置信号始终保持在一恒定电压,且该恒定电压使所述第二薄膜晶体管处于线性工作区;
所述开关信号线中传输的开关信号采用与栅极扫描信号相同的脉冲信号。
15.根据权利要求14所述的液晶显示装置,其特征在于,所述预置信号的电压值在8V~11V之间。
16.根据权利要求15所述的液晶显示装置,其特征在于,所述预置信号的电压值为10V。
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