[实用新型]微电阻装置有效
| 申请号: | 201120158542.3 | 申请日: | 2011-05-18 |
| 公开(公告)号: | CN202183287U | 公开(公告)日: | 2012-04-04 |
| 发明(设计)人: | 陈富强 | 申请(专利权)人: | 旺诠股份有限公司 |
| 主分类号: | H01C3/00 | 分类号: | H01C3/00;H01C1/08 |
| 代理公司: | 中国商标专利事务所有限公司 11234 | 代理人: | 万学堂;桑丽茹 |
| 地址: | 中国台湾高雄*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电阻 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种电阻装置,特别是涉及一种微电阻装置。
背景技术
参阅图1与图2,为中国台湾公告第M290606号「表面黏着型芯片电阻」新型专利案,该表面黏着型芯片电阻1包括一芯片基板11、二形成于该芯片基板11两侧的电极12、一形成在该芯片基板11上且位于所述电极12间的电阻膜13,及多数条形成在该电阻膜13上的沟槽14。
然而,该表面黏着型芯片电阻1为一种运用于PC板上的微电阻元件,由于该电阻膜13形成时的初始电阻值皆低于所需要的电阻值,因此在生产过程中必须再以激光切割修整加工至所需要的电阻值。另外,假设R为电阻值,ρ为金属导电系数,L为长度,A为截面积,则有R=ρ(L/A)的关系式,在该电阻经激光切割后,电流在该电阻膜13上通过的长度将增加,使得该表面黏着型芯片电阻1的电阻值增加,而电阻值的增加,加上电阻膜13被截掉导致导热率降低,与该电阻膜13与所述电极12间形成有二沟槽14,导致该表面黏着型芯片电阻1表面的温度增加,一旦该表面黏着型芯片电阻1的温度过高,将导致该表面黏着型芯片电阻1的寿命减短且其金属导电系数ρ会因为高温的关系而出现漂移的现象,进而使得该表面黏着型芯片电阻1的电阻值不稳定,另外,该表面黏着型芯片电阻1在单一面积内的功率也会因为高温的影响而受局限。
所以,如何改善以上所述的缺点,一直是本技术领域者持续努力的重要目标。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种散热性佳的微电阻装置。本实用新型微电阻装置,包括一个基板、一个第一电极、一个第二电极、一层第一缓冲层,及一个第一绝缘墙。其中该基板包括一个以金属材料所制成的板体,该板体具有一个第一侧及相反于该第一侧的第二侧,该第一电极形成在该板体的第一侧,该第二电极形成在该板体的第二侧,该第一缓冲层形成在该板体顶面,该第一绝缘墙形成在该第一缓冲层上且位于该第一电极与该第二电极间,其特征在于:
该微电阻装置还包括一层形成在该第一缓冲层上的第一金属层,该第一金属层受该第一绝缘墙限制且由该第一绝缘墙向该第一电极与该第二电极的方向延伸,该第一金属层与该第一电极及该第二电极相连接。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
较佳地,前述的微电阻装置,还包括一层形成在该板体底面且位于该第一电极与该第二电极间的绝缘层。
较佳地,前述的微电阻装置,还包括一层形成在该板体底面的第二缓冲层、一个形成在该第二缓冲层底面且位于该第一电极与该第二电极间的第二绝缘墙,及一层形成在该第二缓冲层底面的第二金属层,该第二金属层受该第二绝缘墙限制且由该第二绝缘墙向该第一电极与该第二电极的方向延伸,该第二金属层与该第一电极及该第二电极相连接,该第一缓冲层与该第二缓冲层皆为导电漆。
较佳地,前述的微电阻装置,其中该第一金属层与该第二金属层为一导热金属,选自于金、银、铜、铁、锡、铝,或它们的组合。
较佳地,前述的微电阻装置,其中该基板还包括至少一个形成在该板体上且用于调整该板体的电阻值大小的间隙。
本实用新型的有益效果在于:借由该第一金属层与该第一电极及该第二电极相连接,能使该微电阻装置产生的热经由该第一金属层传递至该第一电极与第二电极,并利用该第一电极与第二电极将热传递至其它元件,借此能提高散热性并降低该微电阻装置表面的温度。
附图说明
图1是一剖视图,显示中国台湾公告第M290606号「表面黏着型芯片电阻」新型专利案;
图2是一局部放大图,辅助说明该表面黏着型芯片电阻;
图3是一正视图,说明本实用新型微电阻装置的第一较佳实施例;
图4是一剖视图,辅助说明该第一较佳实施例;
图5是一剖视图,说明本实用新型微电阻装置的第二较佳实施例;
图6是一剖视图,说明该第二较佳实施例的另一态样;
图7是一立体图,说明本实用新型微电阻装置的第三较佳实施例;
图8是一正视图,说明本实用新型微电阻装置的第四较佳实施例;及
图9是一剖视图,辅助说明该第四较佳实施例。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本实用新型进行详细说明:
在本实用新型被详细描述前,要注意的是,在以下的说明中,类似的元件是以相同的编号来表示。
参阅图3与图4,为本实用新型微电阻装置的第一较佳实施例,包括一基板2、一第一电极31、一第二电极32、一第一缓冲层41、一第一绝缘墙51,及一第一金属层6。
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