[实用新型]一种液晶显示器用掩膜板有效
申请号: | 201120156190.8 | 申请日: | 2011-05-16 |
公开(公告)号: | CN202177777U | 公开(公告)日: | 2012-03-28 |
发明(设计)人: | 张锋;吕敬;戴天明;姚琪 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人: | 程立民;张颖玲 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 液晶显示 器用 掩膜板 | ||
技术领域
本实用新型涉及掩膜板设计技术,尤其涉及一种液晶显示器用掩膜板。
背景技术
随着液晶显示的发展,对液晶面板的尺寸、分辨率、刷新频率也提出了越来越高的要求。然而,对于大尺寸、高分辨率、高刷新频率的液晶面板来说,在实际的生产中,掩膜板的尺寸总是小于面板尺寸,一块完整的液晶面板总是由掩膜板多次组合曝光而形成的。在组合曝光的过程中,曝光交界线(Stitch)的曝光精度就显得尤为重要,如果两次曝光交界线掩膜板的缝合程度不好,就会对该部分的像素图案造成影响,从而影响显示质量,甚至造成良品率下降。
图1是现有技术中为了提高刷新频率而采取的像素设计,像素设计采用对称的结构,图1中每个方块表示一个子像素,上下两个子像素共用一条栅线,上下两个子像素的数据分别由左右两边的数据线提供。该像素设计中为了增加开口率以及分辨率,两条数据线之间的距离很小,一般为几个微米;而且曝光时,曝光交界线刚好位于两条数据线之间,如图2所示。图2中的虚线即为两次曝光的曝光交界线,由于两条数据线之间的距离很小,因此,对曝光交界线的曝光精度要求非常高,如果缝合程度不好,就会对该部分的像素图案造成影响,从而影响显示质量,甚至造成良品率下降。
发明内容
有鉴于此,本实用新型的目的在于提供一种液晶显示器用掩膜板,解决现有技术中掩膜板设计对曝光交界线的曝光精度要求非常高,容易对部分像素图案造成影响,产生不良品的技术问题。
为达到上述目的,本实用新型的技术方案是这样实现的:
本实用新型提供一种液晶显示器用掩膜板,该掩膜板两个曝光区域之间的交界线位于子像素的像素区内。
基于本实用新型一具体实施例,所述掩膜板两个曝光区域之间包含交界区域,所述交界区域的与数据线相邻的两条边分别到所述交界区域两侧的两根数据线之间的中心点的距离之和(L1+L2)等于每个子像素在横向或纵向的宽度。
进一步地,所述交界区域完全不透光,用于对曝光区域边界外不需要曝光的区域进行保护。
4、根据权利要求2所述的掩膜板,其特征在于,所述交界区域的与数据线相邻的两条边分别到所述交界区域两侧的两根数据线或栅线之间的中心点的距离相等,即L1和L2相等。
基于本实用新型另一具体实施例,所述掩膜板两个曝光区域之间包含交界区域,所述交界区域的与数据线相邻的两条边分别到所述交界区域两侧的两根数据线之间的中心点的距离之和(L1+L2)大于每个子像素在横向或纵向的宽度。
进一步地,所述交界区域完全不透光,用于对曝光区域边界外不需要曝光的区域进行保护。
进一步地,所述交界区域的与数据线相邻的两条边分别到所述交界区域两侧的两根数据线之间的中心点的距离相等,即L1和L2相等。
进一步地,在所述曝光区域中至少两相邻的子像素的像素区之间设置有两根数据线或两根栅线。
进一步地,所述两根数据线或两根栅线彼此相平行。
本实用新型将数据线曝光时的曝光交界线的位置调整至像素中,可以有效解决大尺寸、高分辨率、高刷新频率液晶面板制造过程中组合曝光的问题,使两次曝光交界线两条数据线之间的距离和数据线宽度不受影响,从而提高显示质量以及良品率,降低生产成本。
附图说明
图1为现有技术像素设计示意图;
图2为现有技术中曝光交界线(stitch)的位置示意图;
图3为本实用新型实施例提供的数据线层掩膜板的示意图;
图4为本实用新型实施例提供的数据线层掩膜板交界区域(D)与其它曝光区域(A、B、C)之间的位置关系图;
图5为使用本实用新型实施例提供的数据线层掩膜板进行A与B交界线曝光的过程示意图;
图6为另一使用本实用新型实施例提供的数据线层掩膜板进行A与B交界线曝光的过程示意图。
具体实施方式
为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚明白,以下举实施例并参照附图,对本实用新型进一步详细说明。
本实用新型提供的数据线层掩膜板,由于将曝光交界线的位置调整至像素中间,位于子像素之间的距离很小的两条数据线都是由一次曝光形成,因此可以保证两条数据线之间的距离和宽度。
在本实用新型一优选实施例中,一块完整的掩膜板由A、B、C三个曝光区域组成,如图3所示,掩膜板上A与B、B与C之间还包含交界区域,交界区域如图4中的D所示。其中A、B、C区域用以形成液晶显示器数据线层图案,D区域完全不透光,用于对曝光区域边界外不需要曝光的区域进行保护。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
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