[实用新型]超导元件结构无效

专利信息
申请号: 201120116871.1 申请日: 2011-04-18
公开(公告)号: CN202077322U 公开(公告)日: 2011-12-14
发明(设计)人: 陈文进;萧永仁 申请(专利权)人: 陈文进;萧永仁
主分类号: H05K7/20 分类号: H05K7/20
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 梁挥;张彩霞
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 超导 元件 结构
【权利要求书】:

1.一种超导元件结构,用于电子元件(20)的散热,其特征在于:所述超导元件(10)包括:

一壳体(12),其包括一上板片(14)及一下座(16),该上板片(14)及该下座(16)的内表面利用静电涂布的方式披覆有一层金属薄膜,该上板片(14)及该下座(16)彼此结合形成一容置空间(17);

多个烧结柱体(18),置于该容置空间(17)内,该烧结柱体(18)是利用金属粉末冲压进而烧结成的柱体状,该烧结柱体(18)的表面具有毛细结构;以及

一工作流体(40),填注于该容置空间(17)中,该工作流体(40)于该容置空间(17)内流动并通过相变化传输热能。

2.根据权利要求1所述的超导元件结构,其特征在于:所述工作流体(40)为纯水或超纯水。

3.根据权利要求1所述的超导元件结构,其特征在于:所述工作流体(40)为一种传热介质,遇热产生相变化,并将该电子元件(20)产生的热能均匀传送至该壳体(12)。

4.根据权利要求1所述的超导元件结构,其特征在于:所述壳体(12)为铜金属材质。

5.根据权利要求1所述的超导元件结构,其特征在于:所述壳体(12)还具有一填充孔(164),该填充孔(164)可由外部填充该工作流体(40)至该容置空间(17)内。

6.根据权利要求1所述的超导元件结构,其特征在于:所述金属薄膜为铜粉,利用静电涂布方式披覆于该上板片(14)及该下座(16)的内表面上。

7.根据权利要求1所述的超导元件结构,其特征在于:所述金属薄膜为一种毛细结构。

8.根据权利要求1所述的超导元件结构,其特征在于:所述金属粉末为铜粉冲压烧结后形成的多孔质结构。

9.根据权利要求1所述的超导元件结构,其特征在于:还包含一散热板(30)位于该壳体(12)的外表面上,并与该壳体(12)接触。

10.根据权利要求1所述的超导元件结构,其特征在于:所述上板片(14)及该下座(16)接合后,其接触边缘通过焊接接合固定。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于陈文进;萧永仁,未经陈文进;萧永仁许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201120116871.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top