[实用新型]优化型三极管引线框架无效
| 申请号: | 201120107955.9 | 申请日: | 2011-04-13 |
| 公开(公告)号: | CN202049947U | 公开(公告)日: | 2011-11-23 |
| 发明(设计)人: | 杨承武;朱成明 | 申请(专利权)人: | 吴江恒源金属制品有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495 |
| 代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 孙仿卫;项丽 |
| 地址: | 215234 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 优化 三极管 引线 框架 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种半导体分立器件,更具体地说,涉及一种用于半导体元件封装的优化型三极管引线框架。
背景技术
传统技术中的三极管引线框架一般都包括相连接的散热区和芯片区,在散热区上开设有一螺纹通孔,为了很好的散热,往往需要外加散热片,而正是通过该螺纹通孔将引线框架与散热片之间相固定,而在利用螺钉将引线框架与散热片相固定是会引起引线框架的散热区变形,并会传递到芯片区,就会导致芯片区塑封体之间发生分离甚至松脱,更有可能对芯片造成损伤,严重影响其性能。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种结构优化的三极管引线框架。
为解决上述技术问题,本实用新型采用如下技术方案:
一种优化型三极管引线框架,其包括框架本体,所述的框架本体上包括若干个框架单元,相邻的所述的框架单元的中部及底部分别通过中筋和底筋相连接,每个所述的框架单元包括上部的散热区、与所述的散热区相连的芯片区、连接在所述的芯片区的下方的三个管脚,所述的散热区具有一螺纹通孔,所述的散热区与所述的芯片区之间设置有阶梯通孔,所述的阶梯通孔至少包括孔径缩小的喉部。
优选地,所述的阶梯通孔的横截面呈“T”字形,进一步地,所述的阶梯通孔中孔径较大的一侧在前或者在后。
优选地,所述的阶梯通孔的横截面呈“工”字形。
进一步优选地,所述的阶梯通孔的任意纵截面呈长圆形、矩形或者圆形。
本实用新型的有益效果是:在传统的引线框架的散热区与芯片区之间开设通孔以减弱或消除散热区的形变向芯片区的传递,并且将这通孔设计成阶梯状,使塑封体充满其中,以起到良好的固定作用,本实用新型的结构优化使得效果显著,加工工艺简单,适合在行业内推广使用。
附图说明
附图1为本实用新型的优化型三极管引线框架的结构示意图;
附图2为本实用新型的优化型三极管引线框架的一种实施例中对应的附图1中A-A向剖视图(部分示意);
附图3为附图2中B-B向剖视图(部分示意);
附图4为本实用新型的优化型三极管引线框架的另一种实施例中对应的附图1中A-A向剖视图(部分示意);
附图5为附图4中C-C向剖视图(部分示意)。
附图中:1、框架本体;2、框架单元;3、散热区;4、芯片区;5、螺纹通孔;6、阶梯通孔;7、中筋;8、底筋。
具体实施方式
下面结合附图所示的实施例对本实用新型的技术方案作以下详细描述:
实施例一:如附图1所示,本实用新型的优化型三极管引线框架包括框架本体1,框架本体1包括若干个框架单元2,相邻的框架单元2的中部和底部分别通过中筋7和底筋8相连接,每个框架单元2包括上部的散热区3、与散热区3相连的芯片区4、连接在芯片区4的下方的三个管脚,散热区3具有一螺纹通孔5,散热区3与芯片区4之间设置有阶梯通孔6,阶梯通孔6包括孔径缩小的喉部和孔径较大的一段,即横截面呈“T”字形(如附图2及附图3所示),该横截面呈“T”字形的阶梯通孔6的孔径较大的一端可以在前或者在后。
实施例二:如附图1所示,本实用新型的优化型三极管引线框架包括框架本体1,框架本体1包括若干个框架单元2,相邻的框架单元2的中部和底部分别通过中筋7和底筋8相连接,每个框架单元2包括上部的散热区3、与散热区3相连的芯片区4、连接在芯片区4的下方的三个管脚,散热区3具有一螺纹通孔5,散热区3与芯片区4之间设置有阶梯通孔6,阶梯通孔6包括孔径缩小的喉部和分别位于该喉部的前、后两侧的孔径较大的两段,即横截面呈“工”字形(如附图4及附图5所示)。
上述的两个实施例中阶梯通孔6的任意纵截面呈长圆形、矩形或者圆形。
本实用新型的优化型三极管引线框架在传统的引线框架的散热区与芯片区之间开设通孔以减弱或消除散热区的形变向芯片区的传递,并且将这通孔设计成阶梯状,使塑封体充满其中,以起到良好的固定作用,本实用新型的结构优化使得效果显著,加工工艺简单,适合在行业内推广使用。
上述实施例只为说明本实用新型的技术构思及特点,其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本实用新型的内容并据以实施,并不能以此限制本实用新型的保护范围。凡根据本实用新型精神所作的等效变化或修饰,都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。
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