[实用新型]高压大功率驱动器模块

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种半导体混合集成电路器件，尤其是涉及一种高压大功率驱动器模块。 

背景技术

大部分高压大功率驱动器是通过多个半导体元器件组合使用来实现电路功能，虽然可以实现高压大功率应用，但是占用空间大，重量重，组装繁琐。尤其是在空间要求小，重量要求轻，可靠性要求高的条件下，用多个半导体分立器件实现大功率驱动电路具有一定困难。 

发明内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种结构紧凑，占用空间小，重量轻，组装方便，可实现高压大功率推挽输出功能的高压大功率驱动器模块。 

本实用新型涉及的高压大功率驱动器模块，包括管壳，钼片及可伐片，功率三极管芯片、功率MOSFET芯片和片式电阻，其特殊之处是：在管壳底座上通过高温合金焊料焊接有金属化陶瓷基板，所述的钼片、可伐片与金属化陶瓷基板通过高温合金焊料进行焊接，所述的功率三极管、功率MOSFET芯片和片式电阻通过真空烧结焊接在钼片上，各个元器件之间采用硅铝丝互连构成推挽输出电路，在管壳上设有外引线，在管壳内填充有氮气。 

本实用新型的优点是：结构紧凑，占用空间小，耐压高，承受电流大布局合理，特别是将功率三极管、功率MOSFET和片式电阻通过真空烧结工艺进行焊接，实现低的孔洞率，降低了芯片到管壳的热阻，散热性好，在管壳内填充有氮气并采用气密性封装，大大提高了高压大功率逆变器模块的可靠性，可适用于-45～125℃的工作环境。通过将功率三极管、功率MOSFET芯片和片式电阻集成在一个管壳内，进行模块化封装，功率器件芯片之间在达到散热要求条件下实现了小的间距，同时电路的连接采用硅铝丝，减小了管壳体积。 

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图； 

图2是本实用新型的内部结构图；

图3是本实用新型的电路结构图；

图中：管壳1、功率三极管芯片2、硅铝丝3、金属化陶瓷基板4、钼片5、铅锡银合金焊料6、可伐片7、高温合金焊料8、片式电阻9、功率MOSFET芯片10。

具体实施方式

如图所示，本实用新型包括由底座和盖板构成的管壳1、功率三极管芯片2、硅铝丝3、金属化陶瓷基板4、钼片5、铅锡银合金焊料6、可伐片7、高温合金焊料8、片式电阻9、功率MOSFET芯片10。管壳底1和金属化陶瓷基板.4通过高温合金焊料8进行焊接，钼片5、可伐片7与金属化陶瓷基板4通过高温合金焊料8进行焊接，所述的功率三极管芯片2、功率MOSFET芯片10和片式电阻9通过铅锡银合金焊料6真空烧结焊接在钼片5上，各个功率三极管芯片、功率MOSFET芯片和片式电阻9之间采用硅铝丝3互连构成，通过硅铝丝3互连构成推挽输出电路，在管壳1内填充氮气，在氮气氛围中采用平行封焊工艺进行气密性封装。