[实用新型]一种大容量DRAM芯片存储阵列结构无效
| 申请号： | 201120086615.2 | 申请日： | 2011-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN202042191U | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 亚历山大;段会福 | 申请（专利权）人： | 山东华芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C5/02 | 分类号： | G11C5/02;G11C11/413 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 徐平 |
| 地址： | 250101 山东省济南市高*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 容量 dram 芯片 存储 阵列 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种大容量DRAM芯片存储阵列结构，包括多个存储单元阵列以及相应的行译码器电路、列译码器电路和总控制电路；其特征在于：每个存储单元阵列沿位线方向分为上、下两组存储单元阵列模块，其中，下存储单元阵列模块的行模块数量为上存储单元阵列模块的行模块数量的一半；所述列译码器电路主要设置于上、下两组存储单元阵列模块之间。
2.根据权利要求1所述的大容量DRAM芯片存储阵列结构，其特征在于：所述下存储单元阵列模块是由标准模块分割成相同的两部分并将这两部分并排设置。
3.根据权利要求2所述的大容量DRAM芯片存储阵列结构，其特征在于：所述上存储单元阵列模块的列模块数量为A，下存储单元阵列模块在分割前的列模块数量为B，满足A-2B≥1。
4.根据权利要求3所述的大容量DRAM芯片存储阵列结构，其特征在于：所述下存储单元阵列模块邻接总控制电路。
5.根据权利要求4所述的大容量DRAM芯片存储阵列结构，其特征在于：所述下存储单元阵列模块沿字线方向形成的剩余的空间设置有部分列译码器电路或者电源的电容。
6.根据权利要求5所述的大容量DRAM芯片存储阵列结构，其特征在于：所述剩余的空间设置的部分列译码器电路为冗余修复控制电路。
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