[实用新型]一种防渗引线框架有效
| 申请号: | 201120022076.6 | 申请日: | 2011-01-24 |
| 公开(公告)号: | CN201994288U | 公开(公告)日: | 2011-09-28 |
| 发明(设计)人: | 王勇 | 申请(专利权)人: | 深圳市三浦半导体有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495 |
| 代理公司: | 北京英特普罗知识产权代理有限公司 11015 | 代理人: | 齐永红 |
| 地址: | 518000 广东省深圳市宝安区福永街*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 防渗 引线 框架 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种引线框架,尤其涉及一种防渗引线框架。
背景技术
目前,TO-126系列电子元器件在手机充电器和照明行业使用相当广泛,而其引线框架是构成TO-126系列电子元器件主要原材料之一。目前,借助传统引线框架生产出来的电子元器件漏电流较大,主要因为封装后引线框架与塑封体之间空隙较大,使得在电镀工艺过程中水或酸容易渗入元器件内,或者在储存过程中水气容易渗入元器件内,从而导致的降低。
实用新型内容
本实用新型目的在于提供一种可以提高电子元器件封装良率和使用寿命的防渗引线框架。
为实现上述目的,本实用新型包括芯片部、中间管脚、二个侧管脚、中筋、定位孔和矩形凹槽,其特点是还具有防渗凹槽;所述防渗凹槽位于定位孔和矩形凹槽之间。
进一步的,所述防渗凹槽包括曲线段,所述曲线段沿定位孔的圆周设置;以及,两条直线段,所述两条直线段分别从曲线段的两端向所述芯片部左右两侧延伸。
本实用新型的有益效果在于,应用所述防渗引线框架,可以有效地将封装测试漏电流不良比例从0.4~0.6%降低至0.1~0.2%,进而提高电子元器件封装良率和使用寿命。
附图说明
图1示出了现有技术的TO-126型号引线框架的示意图。
图2示出了本实用新型防渗引线框架的示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型做进一步说明。
图1示出了现有技术的TO-126型号引线框架100的示意图。引线框架100包括芯片部101,中间管脚106、二个侧管脚102和中筋103,其中,中间管脚106从芯片部101底端的横向中间位置向下垂直延伸,二个侧管脚102对称地设置于中间管脚106的左右两侧,二个侧管脚102的上端均设置有一个头部121,中筋103横穿所述的中间管脚106和二个侧管脚102;所述的芯片部101上设置有定位孔111及位于定位孔111下方的矩形凹槽107;与中间管脚106和二个侧管脚102的底端连接的部分为生产三极管引线框架100时所使用的料带104。
图2示出了本实用新型防渗引线框架200的示意图。所述防渗引线框架200是图1所示的TO-126型号引线框架100的改进,其芯片部101、定位孔111、中间管脚106、两个侧管脚102、中筋103、料带104和矩形凹槽107的结构即形状及连接关系均与以上现有技术的相同。
本实用新型防渗引线框架200的特点是,所述定位孔111和矩形凹槽107之间具有一深度范围为0.5mm~1mm的防渗凹槽105;并且,其包括一条曲线段和两条直线段,所述曲线段沿定位孔的圆周设置,所述两条直线段分别从曲线段的两端向所述芯片部101左右两侧延伸。
另外,所述防渗凹槽105与引线框架100同时一次性整体冲压成型,生产所述防渗引线框架200的装置在生产TO-126型号引线框架100的装置基础上增加一套防水成型模具,借助该防水成型模具使得所述防渗引线框架200具有所述防渗凹槽105的结构。
进一步的,应用具有所述防渗凹槽的防渗引线框架200,可以将封装测试漏电流不良比例从0.4~0.6%降低至0.1~02%。
本实用新型中防渗凹槽105的形状不限于文中所述形状,起到防渗作用的不同形状的凹槽均落入本实用新型的保护范围。
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