[发明专利]沉积掩模有效
申请号: | 201110461209.4 | 申请日: | 2011-12-26 |
公开(公告)号: | CN102683618A | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
发明(设计)人: | 李相信 | 申请(专利权)人: | 三星移动显示器株式会社 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 韩芳;韩明星 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 沉积 | ||
本申请参考于2011年3月15日先前提交到韩国知识产权局并由此指定的序号为10-2011-0023058的申请,将该申请包含于此并且要求该申请的所有权益。
技术领域
本发明涉及一种沉积掩模,更具体地讲,涉及一种在制造显示装置的过程中使用的沉积掩模。
背景技术
电致发光元件作为自发光显示元件,由于它们宽的视角、高的对比度以及高的响应速度而作为下一代显示元件备受关注。
根据形成发光层的材料,这些电致发光元件被分为无机电致发光元件和有机电致发光元件。有机电致发光元件具有比无机电致发光元件高的亮度和响应速度,并且能够显示彩色图像。由于这些优点,正在积极开发有机电致发光元件。
通过各种沉积工艺来制造采用有机电致发光元件的显示装置,并且在制造工艺的一部分中采用沉积掩模。
沉积掩模包括掩模框架和掩模片。通过将分开的或未分开的掩模片拉紧并且固定到掩模框架上来制造沉积掩模。例如,可以通过将掩模框架的固定区域焊接到掩模片来将掩模框架和掩模片彼此固定。然而,在这种情况下,虽然掩模框架的除了固定区域之外的区域与掩模片彼此非常靠近,但是掩模框架的除了固定区域之外的区域通常不完全地附于掩模片。因此,如果杂质被引入到掩模框架的这些区域与掩模片之间的空间中,则可能在沉积掩模和基底之间形成间隙。所述间隙会阻碍图案的精确沉积并且产生由于掩模缺陷导致的阴影。
发明内容
本发明提供了一种沉积掩模,其中,可以从所述沉积掩模容易地去除杂质。
然而,本发明的方面不限于这里提出的方面。通过参照下面给出的对本发明的详细描述,本发明的以上和其它方面对于本发明所属领域的普通技术人员来说将变得更加清楚。
根据本发明的一方面,一种沉积掩模包括:掩模框架,具有限定在所述掩模框架的中心的开放窗口,并且包括形成在所述掩模框架的外表面中的第一开口和第二开口以及形成在所述掩模框架中的用于将第一开口空间连接到第二开口的第一连接通道;掩模片,放置在所述掩模框架上,其中,所述掩模框架的表面面对掩模片并且包括固定到掩模片的固定区域,第一开口位于所述表面的位于所述固定区域的靠近所述开放窗口的侧部上的区域中。
根据本发明的另一方面,一种沉积掩模包括:掩模框架,具有限定在所述掩模框架的中心的开放窗口,并且所述掩模框架包括形成在所述掩模框架的外表面中的第一开口和第二开口以及形成在所述掩模框架中用于将第一开口空间连接到第二开口的第一连接通道;掩模片,放置在所述掩模框架上,其中,所述掩模框架的表面包括第一表面、第二表面以及连接第一表面和第二表面的台阶表面,其中,第一表面和第二表面面对所述掩模片,第一表面包括固定到所述掩模片的固定区域,第一开口位于所述台阶表面中。
附图说明
通过参照下面的结合附图考虑时的详细描述,对本发明的更完整的理解以及本发明的许多附加优点将变得更加清楚以及更好理解,在附图中,相同的标号始终表示相同或相似的组件,其中:
图1是根据本发明示例性实施例的沉积掩模的分解透视图;
图2是图1中示出的沉积掩模的平面图;
图3是沿着图2中的线III-III截取的剖视图;
图4是用于解释清洁图3中示出的沉积掩模的方法的剖视图;
图5和图6是根据本发明其它示例性实施例的沉积掩模的剖视图;
图7至图9是根据本发明其它示例性实施例的沉积掩模的剖视图;
图10是根据本发明又一示例性实施例的沉积掩模的剖视图;
图11是用于解释清洁图10中示出的沉积掩模的方法的剖视图;
图12和图13是根据本发明其它示例性实施例的沉积掩模的剖视图;
图14是根据本发明又一示例性实施例的沉积掩模的剖视图;
图15是用于解释清洁图14中示出的沉积掩模的方法的剖视图;
图16是根据本发明又一示例性实施例的沉积掩模的剖视图;
图17是根据本发明又一示例性实施例的沉积掩模的剖视图;
图18是根据本发明又一示例性实施例的沉积掩模的分解透视图;
图19是图18中示出的沉积掩模的平面图。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择