[发明专利]沉积掩模有效
| 申请号: | 201110461209.4 | 申请日: | 2011-12-26 |
| 公开(公告)号: | CN102683618A | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
| 发明(设计)人: | 李相信 | 申请(专利权)人: | 三星移动显示器株式会社 |
| 主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 韩芳;韩明星 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 沉积 | ||
1.一种沉积掩模,所述沉积掩模包括:
掩模框架,具有限定在所述掩模框架的中心的开放窗口,并且包括形成在所述掩模框架的外表面中的第一开口和第二开口以及形成在所述掩模框架中的用于将第一开口空间连接到第二开口的第一连接通道;
掩模片,放置在所述掩模框架上,
其中,所述掩模框架的表面面对掩模片并且包括固定到掩模片的固定区域,其中,第一开口位于所述掩模框架的所述表面的位于所述固定区域的靠近所述开放窗口的侧部上的区域中。
2.根据权利要求1所述的沉积掩模,其中,第二开口形成在所述掩模框架的除了掩模框架的所述表面之外的外表面上。
3.根据权利要求2所述的沉积掩模,其中,沿着第一连接通道延伸的方向,第一连接通道的竖直剖面的面积从第一开口朝向第二开口保持不变。
4.根据权利要求2所述的沉积掩模,其中,沿着第一连接通道延伸的方向,第一连接通道的竖直剖面的面积从第一开口朝向第二开口增加。
5.根据权利要求4所述的沉积掩模,其中,所述掩模片与第一开口之间的距离小于所述掩模片与所述掩模框架的所述表面的位于所述固定区域的靠近所述开放窗口的侧部上的端部之间的距离。
6.根据权利要求3所述的沉积掩模,其中,所述掩模片与第一开口之间的距离小于所述掩模片与所述掩模框架的所述表面的位于所述固定区域的靠近所述开放窗口的侧部上的端部之间的距离。
7.根据权利要求1所述的沉积掩模,其中,第二开口位于所述掩模框架的所述表面的位于所述固定区域的与所述开放窗口相对的侧部上的区域中。
8.根据权利要求7所述的沉积掩模,其中,沿着第一连接通道延伸的方向,第一连接通道的竖直剖面的面积从第一开口朝向第二开口保持不变。
9.根据权利要求7所述的沉积掩模,其中,沿着第一连接通道延伸的方向,第一连接通道的竖直剖面的面积从第一开口朝向第二开口增加。
10.根据权利要求9所述的沉积掩模,其中,所述掩模片与所述表面的第一开口之间的距离小于所述掩模片与所述掩模框架的所述表面的位于所述固定区域的靠近所述开放窗口的侧部上的端部之间的距离。
11.根据权利要求8所述的沉积掩模,其中,所述掩模片与所述表面的第一开口之间的距离小于所述掩模片与所述掩模框架的所述表面的位于所述固定区域的靠近所述开放窗口的侧部上的端部之间的距离。
12.根据权利要求1所述的沉积掩模,所述沉积掩模还包括形成在所述固定区域中用于将所述掩模框架和所述掩模片彼此固定的固定构件。
13.根据权利要求12所述的沉积掩模,其中,所述固定构件包括线性布置的点形状的多个焊接件。
14.根据权利要求1所述的沉积掩模,其中,所述掩模片包括多个开口部分。
15.根据权利要求14所述的沉积掩模,其中,所述开口部分按照矩阵形式布置。
16.根据权利要求1所述的沉积掩模,其中,所述掩模片是未分开的掩模片。
17.根据权利要求1所述的沉积掩模,其中,所述掩模片包括多个单元掩模片。
18.根据权利要求1所述的沉积掩模,其中,所述掩模框架还包括形成在所述掩模框架的外表面中的第三开口以及形成在所述掩模框架中用于将第三开口空间连接到第一连接通道的第二连接通道。
19.根据权利要求18所述的沉积掩模,其中,所述掩模框架还包括形成在所述掩模框架的外表面中的第四开口以及形成在所述掩模框架中用于将第四开口空间连接到第一连接通道的第三连接通道。
20.根据权利要求1所述的沉积掩模,其中,所述掩模片与所述掩模框架的所述表面的位于所述固定区域的靠近所述开放窗口的侧部上的区域之间的距离大于所述掩模片与所述掩模框架的所述表面的位于所述固定区域的与所述开放窗口相对的侧部上的区域之间的距离。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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