[发明专利]等离子显示器的介质保护膜及其制备方法和等离子显示器无效
| 申请号： | 201110460307.6 | 申请日： | 2011-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103762137A | 公开（公告）日： | 2014-04-30 |
| 发明（设计）人： | 罗向辉;邢芳丽 | 申请（专利权）人： | 四川虹欧显示器件有限公司 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02;H01J11/40;H01J11/10 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;余刚 |
| 地址： | 621000 四川省绵阳市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 等离子 显示器 介质 保护膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种等离子显示器介质保护膜的制作方法，包括介质保护膜材料在介质层上生长，形成所述介质保护膜的步骤，其特征在于，在所述介质保护膜材料的生长过程中，采用间歇式通氧工艺。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括以下步骤：
A.进行无氧生长阶段，并检测形成的氧化镁层厚度，达到第一预定厚度；
B.通入氧气，进行有氧生长阶段，并检测形成的氧化镁层厚度，达到第二预定厚度；以及
C.重复所述步骤A和所述步骤B。
3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括以下步骤：
a.进行无氧生长阶段，生长时间为30～480s；
b.通入氧气30～480s，氧气的通入量为30～50SCCM，进行有氧生长阶段；以及
c.重复所述步骤a和所述步骤b。
4.根据权利要求2或3所述的制作方法，其特征在于，所述无氧生长和所述有氧生长的方法为电子束蒸镀法、离子镀法、溅射法或化学气相沉积法。
5.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述第一预定厚度和/或所述第二预定厚度为30～50nm。
6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述介质保护膜的厚度为500～1000nm。
7.根据权利要求1-3任一项所述的制作方法，其特征在于，所述介质保护膜材料为氧化镁或掺杂型氧化镁，其中，所述掺杂型氧化镁掺杂有Be、Ca、Sr或Ba。
8.一种等离子显示器的介质保护膜，其特征在于，所述介质保护膜通过权利要求1-7任一项所述的制作方法制作而成。
9.一种等离子显示器，包括：前基板、PDP放电电极和后基板，其特征在于，所述前基板包含权利要求8所述的介质保护膜。
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