[发明专利]等离子显示器的介质保护膜及其制备方法和等离子显示器

说明书

技术领域

本发明涉及气体放电技术领域，具体而言涉及一种等离子显示器的介质保护膜及其制备方法和含有其的等离子显示器。

背景技术

等离子体显示器(PDP)是一种利用气体放电产生紫外线，进而激发荧光粉发出可见光而显像的一种显示器。等离子显示面板是实现放电发光的主要结构，其由前后两个基板组成，在前基板上，设置有横向的维持电极和扫描电极、以及之上的介质层和介质保护膜；在后基板上，设置有纵向的寻址电极和障壁结构，放电发生在前后基板及障壁所组成的空间内。等离子显示器的放电性能决定着等离子显示器的亮度、光效、功耗等指标，而提高放电性能的主要手段是提高等离子显示面板介质保护膜的性能。

当前，等离子体显示面板介质保护膜主要由MgO构成，其具有耐溅射性能优良、电阻率高、二次电子发射系数高、高可见光透过率等特点。该介质保护膜能够有效保护前基板的电极和介质层、延长等离子显示器的使用寿命、存储壁电荷、发挥内存效果、降低电压、限制放电电流，从而改善等离子显示器的放电性能。

在现有的等离子显示面板保护膜的制备工艺中，通常使用电子束蒸镀工艺，所用的最为成熟的保护膜材料是氧化镁，在蒸镀氧化镁的时候一般要通入适量氧气，以提升MgO薄膜的结晶度，通氧条件下能够获得较低的着火电压但是显示屏的发光效率较低。理想的保护膜应该是具有较高的光效和较低的电压，这对于现有介质保护膜制备工艺而言是难以实现的。

发明内容

本发明旨在提供一种等离子显示器的介质保护膜，以解决现有技术中等离子显示屏的发光效率低而且放电电压高的问题。

根据本发明的一个方面，提供了一种等离子显示器介质保护膜的制作方法，包括介质保护膜材料在介质层上生长，形成介质保护膜的步骤，在介质保护膜材料的生长过程中，采用间歇式通氧工艺。

进一步地，上述制作方法包括以下步骤：A.进行无氧生长阶段，并检测形成的氧化镁层厚度，达到第一预定厚度；B.通入氧气，进行有氧生长阶段，达到第二预定厚度；以及C.重复步骤A和步骤B。

进一步地，上述制作方法包括以下步骤：a.进行无氧生长阶段，生长时间为30～480s；b.通入氧气30～480s，氧气的通入量为30～50SCCM，进行有氧生长阶段；以及c.重复步骤a和步骤b。

进一步地，上述无氧生长和有氧生长的方法为电子束蒸镀法、离子束蒸镀法、溅射法或化学气相沉积法。

进一步地，上述第一预定厚度和/或第二预定厚度为30～50nm。

进一步地，上述介质保护膜的厚度为500～1000nm。

进一步地，上述介质保护膜材料为氧化镁或掺杂型氧化镁，其中，掺杂型氧化镁掺杂有Be、Ca、Sr或Ba。

根据本发明的另一方面，还提供了一种等离子显示器的介质保护膜，其特征在于，介质保护膜上述制作方法制作而成。

根据本发明的又一方面，还提供了一种等离子显示器，包括：前基板、PDP放电电极和后基板，其特征在于，前基板包含上述介质保护膜。

本发明达到的技术效果：根据本发明的制作方法，工艺实现过程简单，只需在现有设备上加装控制氧气流量和通气时间的系统即可，可以在基本上不改变设备结构的基础上实现，工艺设备的改造投入少。本发明得到的介质保护膜具有多层氧化镁层，通氧条件下形成的氧化镁层结晶度较高，无氧条件下形成的氧化镁层较致密，使得含有其的等离子显示器能够在较低的电压下获得较高的发光效率。

除了上面所描述的目的、特征和优点之外，本发明还有其它的目的、特征和优点。下面将参照图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。

附图说明

说明书附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1示出了根据本发明的等离子显示器的前基板的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明的实施例中的技术方案进行详细的说明，但如下实施例以及附图仅是用以理解本发明，而不能限制本发明，本发明可以由权利要求限定和覆盖的多种不同方式实施。

在本发明的一种典型的实施方式中，提供了一种等离子显示器介质保护膜的制作方法，包括介质保护膜材料在介质层上生长，形成介质保护膜的步骤，在介质保护膜材料的生长过程中，采用间歇式通氧工艺。