[发明专利]提高掺杂型MgO介质保护层稳定性的方法及等离子显示屏

说明书

技术领域

本发明属于膜加工领域，具体涉及一种提高掺杂型MgO介质保护层稳定性的方法及等离子显示屏。

背景技术

近几年来，等离子显示技术日趋成熟。等离子显示屏(PDP)由于具有高亮度、高对比度、低成本以及易于大尺寸化的特点，在大尺寸显示器领域占据了重要的地位。PDP是一种利用气体放电期间产生的等离子体激发荧光粉，以显示字符和图形的显示装置。在等离子体显示屏中包含前面板和后面板，两者以相互对置的方式配置。在前面板中包括前面板基板，在其上形成条纹状电极，在条纹状电极上形成介质层，进而在介质层上形成介质保护层。

目前介质保护层基本上都采用MgO材料，其能够引起辉光放电中的二次电子发射，从而降低放电电压并且改善放电延迟。同时MgO保护层具有较好的耐溅射性能，减小了驱动等离子体显示装置时的放电气体放电时的离子冲击，从而保护电介质层。因此，从PDP发展的早期阶段，MgO膜就作为电子发射层，然而随着PDP的发展，大尺寸和高清晰度显示器逐渐受到欢迎，因此降低显示器的能耗成为主要问题。为此，应当进一步提高保护膜的二次电子发射系数以降低放电起始电压。另外，为了降低单扫描驱动所需部件的成本，应当进一步改善由外电子发射的改进而引起的放电延迟。通常使用电子束蒸镀或离子溅射等方法制作MgO介质保护层，其厚度通常为600～900nm。

目前已经提出了通过氧化物掺杂来改进二次电子发射系数的方法，如专利200710079693.8中提到的在MgO中掺杂碱土金属BeO或Cao作为第一掺杂材料，以及选择Sc₂O₃，Sb₂O₃，Er₂O₃，Mo₂O₃和Al₂O₃作为第二掺杂材料。该保护层明显提高了PDP的放电效率并且缩短了放电延迟时间。专利200710091704.4公开了第一掺杂物为Ca、Al和Si，第二掺杂物为Fe和/或Zr的情况下，通过使用掺杂了掺杂物的、经烧结的氧化镁作为保护层，减小了保护层的温度依赖性，并且得到了高的响应速度。专利200810081990.0A中提供了一种MgO保护层，包括以MgO为基准的100到300ppm的Ca、100到250ppm的Al、10到50ppm的Fe、以及70到170ppm的Si，由于减小了放电延迟时间而提高了放电稳定性和显示质量。

从以上可以看出，上述的通过掺杂改进氧化镁介质保护层的方法，虽然提高了PDP的放电效率，但该方法的制备过程中由于CaO、Sr₂O₃等碱土氧化物在空气中极易与H₂O和CO₂反应，在保护层表面生成氢氧化合物和碳酸根化合物，从而降低了显示面板的性能，给产品的性能造成了极大的不稳定性。因此迫切需要一种适合掺杂型MgO介质保护膜的生产工艺来替代现有的生产方法，来生产性能稳定的产品。

发明内容

本发明旨在提供一种提高掺杂型MgO介质保护层稳定性的方法及等离子显示屏，以解决现有技术中存在的MgO介质保护层因掺杂而暴露在空气中造成的性能恶化、产品不稳定的技术问题。

为了实现上述目的，根据本发明的一个方面，提供了一种提高掺杂型MgO介质保护层稳定性的方法，对蒸镀后形成的掺杂型MgO介质保护层进行热处理。

进一步地，热处理步骤包括将掺杂型MgO介质保护层置于空气或还原性气体中，加热至300～600℃。

进一步地，还原性气体选自由氮气、氩气和氦气组成的组中的一种或多种。

进一步地，热处理的温度为400～500℃。

进一步地，热处理的时间为10～60分钟。

进一步地，掺杂型MgO介质保护层为掺杂有氧化钙、氧化锶的氧化镁介质保护层。

根据本发明的另一个方面，提供了一种等离子显示屏，该等离子显示屏中的掺杂型MgO介质保护层由上述任一种方法处理而得到。

本发明通过将蒸镀后的保护层进行热处理，解决了掺杂型MgO介质保护层在空气中暴露易污染的问题，提高了介质保护层的稳定性。同时该技术方案具有多种实现方式且实现简单，成本较低。

附图说明

图1示出了空气中热处理后的样品和未经热处理样品的傅里叶红外光谱图；

图2示出了空气中热处理后的样品和未经热处理的样品在空气中暴露不同时间后碳酸根吸收峰面积的对比图；