[发明专利]光学邻近修正方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，特别涉及一种光学邻近修正方法。

背景技术

在半导体制造工艺中，为了克服由于关键尺寸(Critical Dimension，CD)的缩小而带来的一系列光学邻近效应(Optical Proximity Effect，OPE)，业界采用了很多分辨率增强技术(Resolution Enhancement Technology，RET)，包括光学邻近修正、相移掩模板(Phase Shifting Mask，PSM)和偏轴照明(Off Axis Illumination，OAI)等技术。

基于模型的光学邻近修正(MBOPC)方法是光学邻近修正方法的一种，又叫做仿真式光学邻近修正方法，主要是将待曝光模拟图形与目标图形进行比对，建立待曝光图形的修正模式，再利用仿真器依据光照条件以及先前曝光结果等参数，进行一连串复杂的修正计算。

在公开号为CN 1776695A的中国专利申请中可以发现与基于模型光学邻近修正的方法相关的信息。

参考图1，图1为现有的基于模型的光学邻近修正方法的流程示意图。执行步骤S101，获得经过光学邻近修正后的当前修正掩模板图形；执行步骤S102，对当前修正掩模板图形进行校验，用校验软件模拟获得模拟图形；执行步骤S103，将模拟图形与目标图形进行比较，获得边缘位置误差(EPE)；执行步骤S104，判断边缘位置误差(EPE)是否超过预定值，若边缘位置误差(EPE)大于预定值，执行步骤S105，对当前修正掩模板图形进行修正，并重新执行步骤S101～S104；若边缘位置误差在预定值以内，执行步骤S106，结束校验。

现有的光学邻近修正方法进行光学邻近修正的效果有限。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种光学邻近修正的方法，提高光学邻近修正的效果。

为解决上述问题，本发明提供了一种光学邻近的修正方法，包括：

获得经过至少一次光学邻近修正后的当前修正掩模板图形，对当前修正掩模板图形进行光学模拟获得模拟图形以模拟该掩模板图形经过光刻工艺后在硅片上形成的图像；

将模拟图形与目标图形进行比较，获得多个边缘位置误差；

判断边缘位置误差是否超过预定值，若边缘位置误差大于预定值，大于预定值的边缘位置误差对应的当前修正掩模板图形的边为待修正边；

判断当前修正掩模板图形的待修正边与相邻掩模板图形的距离是否大于掩模板的最小设计尺寸，若当前修正掩模板图形的待修正边与相邻掩模板图形的距离大于掩模板的最小设计尺寸时，对当前修正掩模板图形的待修正边进行修正，若当前修正掩模板图形的待修正边与相邻掩模板图形的距离等于掩模板的最小设计尺寸时，将当前修正掩模板图形的待修正边的相邻边向外移动；

重复上述过程，直至当前修正掩模板图形的边缘位置误差在预定值之内。

可选的，所述判断边缘位置误差是否超过预定值步骤之后，还包括步骤：判断迭代次数是否大于预定次数，若迭代次数小于或等于预定次数，则直接对当前修正掩模板图形的待修正边进行修正；若迭代次数大于预定次数，则判断当前修正掩模板图形的待修正边与相邻掩模板图形的距离与掩模板的最小设计尺寸的大小，当当前修正掩模板图形的待修正边与相邻掩模板图形的距离等于掩模板的最小设计尺寸时，将当前修正掩模板图形的待修正边的相邻边向外移动，当当前修正掩模板图形的待修正边与相邻掩模板图形的距离大于掩模板的最小设计尺寸时，对当前修正掩模板图形的待修正边进行修正。

可选的，所述每次迭代后，当前修正掩模板图形的待修正边的相邻边向外移动的距离为固定值。

可选的，所述固定值的范围为0～0.5纳米。

可选的，所述每次迭代后，当前修正掩模板图形的待修正边的相邻边向外移动的距离为权重值与当次迭代的待修正边的边缘位置误差之积。

可选的，所述权重值的范围为0～1。

可选的，所述权重值为固定权重值或可变权重值。

可选的，进行多次迭代时，所述可变权重值先增大后减小。

可选的，所述判断当前修正掩模板图形的待修正边与相邻掩模板的距离与掩模板的最小设计尺寸大小的步骤之前，还包括步骤，判断最近2～3次的迭代时，待修正边是否移动，若待修正边相对于上次迭代后的边有移动，则对待修正边进行修正；若待修正边相对于上次迭代后的边没有移动，则进行步骤判断当前修正掩模板图形的待修正边与相邻掩模板的距离与掩模板的最小设计尺寸大小。

与现有技术相比，本发明技术方案具有以下优点：