[发明专利]光学邻近修正方法

权利要求书

1.一种光学邻近修正方法，其特征在于，包括：

获得经过至少一次光学邻近修正后的当前修正掩模板图形，对当前修正掩模板图形进行光学模拟获得模拟图形以模拟该掩模板图形经过光刻工艺后在硅片上形成的图像；

将模拟图形与目标图形进行比较，获得多个边缘位置误差；

判断边缘位置误差是否超过预定值，若边缘位置误差大于预定值，大于预定值的边缘位置误差对应的当前修正掩模板图形的边为待修正边；

判断当前修正掩模板图形的待修正边与相邻掩模板图形的距离是否大于掩模板的最小设计尺寸，若当前修正掩模板图形的待修正边与相邻掩模板图形的距离大于掩模板的最小设计尺寸时，对当前修正掩模板图形的待修正边进行修正，若当前修正掩模板图形的待修正边与相邻掩模板图形的距离等于掩模板的最小设计尺寸时，将当前修正掩模板图形的待修正边的相邻边向外移动；

重复上述过程，直至当前修正掩模板图形的边缘位置误差在预定值之内。

2.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述判断边缘位置误差是否超过预定值步骤之后，还包括步骤：判断迭代次数是否大于预定次数，若迭代次数小于或等于预定次数，则直接对当前修正掩模板图形的待修正边进行修正；若迭代次数大于预定次数，则判断当前修正掩模板图形的待修正边与相邻掩模板图形的距离与掩模板的最小设计尺寸的大小，若当前修正掩模板图形的待修正边与相邻掩模板图形的距离等于掩模板的最小设计尺寸时，将当前修正掩模板图形的待修正边的相邻边向外移动，若当前修正掩模板图形的待修正边与相邻掩模板图形的距离大于掩模板的最小设计尺寸时，对当前修正掩模板图形的待修正边进行修正。

3.如权利要求2所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述每次迭代后，当前修正掩模板图形的待修正边的相邻边向外移动的距离为固定值。

4.如权利要求3所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述固定值的范围为0～0.5纳米。

5.如权利要求2所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述每次迭代后，当前修正掩模板图形的待修正边的相邻边向外移动的距离为权重值与当次迭代的待修正边的边缘位置误差之积。

6.如权利要求5所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述权重值的范围为0～1。

7.如权利要求5所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述权重值为固定权重值或可变权重值。

8.如权利要求7所述的光学邻近修正方法，其特征在于，进行多次迭代时，所述可变权重值先增大后减小。

9.如权利要求2所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述判断当前修正掩模板图形的待修正边与相邻掩模板的距离与掩模板的最小设计尺寸大小的步骤之前，还包括步骤，判断最近2～3次的迭代时，待修正边是否移动，若待修正边相对于上次迭代后的边有移动，则对待修正边进行修正；若待修正边相对于上次迭代后的边没有移动，则进行步骤判断当前修正掩模板图形的待修正边与相邻掩模板的距离与掩模板的最小设计尺寸大小。