[发明专利]半导体封装及其制造方法有效
申请号: | 201110459218.X | 申请日: | 2011-12-31 |
公开(公告)号: | CN102569208B | 公开(公告)日: | 2017-04-12 |
发明(设计)人: | 崔银景;郑世泳;崔光喆;闵台洪;李忠善;金晶焕 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/98 | 分类号: | H01L21/98;H01L25/065;H01L23/31;H01L23/367 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 张波 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本公开在此涉及半导体,更具体地,涉及半导体封装及其制造方法。
背景技术
集成电路封装技术不断提高以满足对于半导体封装小型化和更高的安装可靠性的需求。特别地,提高安装工艺的效率以及提高在安装之后的机械和电可靠性已成为半导体产业的重要目标。如果处理不当,由于半导体器件操作期间的大功率消耗所引起的过量热生成会使半导体封装的可靠性退化。
发明内容
本公开提供一种具有提高的可靠性的半导体封装及其制造方法。
在一个实施方式中,一种制造半导体封装的方法包括:提供在其中制造有半导体芯片的晶片;在晶片上方形成散热层,该散热层接触半导体芯片的顶表面;以及之后,由该晶片分割(singulating)多个半导体芯片。
附图说明
包括附图以提供对本发明构思的进一步理解,并且附图结合入本说明书中且组成本说明书的一部分。附图示出本发明构思的示例性实施方式,并且与说明一起,用于解释本发明构思的原理。在图中:
图1A至图1K是剖视图,示出根据本发明构思的一实施方式的半导体封装的制造方法;
图1L是根据本发明构思的一实施方式的半导体封装的制造方法中散热层的透视图;
图1M是流程图,示出本发明构思的一实施方式的半导体封装的制造方法;
图1N是剖视图,示出本发明构思的一实施方式的半导体封装的制造方法;
图2A至图2F是剖视图,示出根据本发明构思的另一实施方式的半导体封装的制造方法;
图2G和图2H是根据本发明构思的又一实施方式的半导体封装的制造方法中散热层的透视图;
图3A至图3E是剖视图,示出根据本发明构思的再一实施方式的半导体封装的制造方法;
图4A至图4G是剖视图,示出根据本发明构思的一实施方式的半导体封装的制造方法;
图5A至图5E是剖视图,示出根据本发明构思的另一实施方式的半导体封装的制造方法;
图6A是方框图,示出具有根据本发明构思的一个或多个实施方式的半导体封装的存储卡;
图6B是方框图,示出具有根据本发明构思的一个或多个实施方式的应用的半导体封装的信息处理系统;以及
图6C是根据本发明构思的一实施方式的存储卡的方框图。
具体实施方式
在下文中,将参考附图详细描述本发明构思的示例性实施方式。
将参考附图在以下更详细地描述本发明构思的示例性实施方式。然而,本发明构思可以以不同形式实现且不应被理解为限于在此阐述的实施方式。而是,提供这些实施方式使得本公开将透彻和完整,并且将向本领域的技术人员全面传达本发明构思的范围。
在本说明书中使用的术语仅用于说明具体实施方式,且不旨在限制本发明构思。以单数形式使用的表述包括复数表述,除非在上下文中具有清楚地不同含义。在本说明书中,将理解,术语诸如“包括”或“具有”等旨在表明在该说明书中所公开的特征、数字、步骤、动作、组分、部件或其组合的存在,不旨在排除一个或多个其它特征、数字、步骤、动作、组分、部件或其组合可能存在或可能被添加的可能性。
除非另外地定义,在此使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本发明构思所属的领域中的普通技术人员通常理解的相同含义。还将理解,术语(诸如在通常使用的字典中所定义的那些)应被理解为具有与在相关领域的背景中的含义一致的含义,将不被理解为理想化或过度正式的意义,除非在此清楚地如此定义。
实施方式1
图1A至图1K是剖视图,示出根据本发明构思的一实施方式的半导体封装的制造方法。图1L是根据本发明构思的另一实施方式的半导体封装的制造方法中散热层的透视图。
参考图1A,第二半导体芯片(chip)200可以层叠在第一半导体芯片100上。可以提供载体90以容易地操作(handle)第一和第二半导体芯片100和200并减少翘曲和/或损坏。作为一个示例,第一半导体芯片100可以利用插置在其间的粘合层95安装在载体90上以及第二半导体芯片200可以层叠在第一半导体芯片100上。载体90可以包括硅、金属、玻璃等等。
第一半导体芯片100和第二半导体芯片200可以是相同的芯片或不同的芯片。作为一个示例,第一半导体芯片100可以是逻辑芯片以及第二半导体芯片200可以是存储器芯片,反之亦然。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造