[发明专利]半导体封装及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体层叠封装的方法，该方法包括：

在包括第一半导体芯片的晶片上方提供多个分离的第二半导体芯片；

形成接触所述第二半导体芯片的所述顶表面的至少一部分的散热层；以及

其后，从所述晶片分割所述多个第一半导体芯片以形成多个芯片叠层，其中所述多个分离的第二半导体芯片层叠在所述分割后的第一半导体芯片中的相应的第一半导体芯片上。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述散热层不包含聚合物。

3.根据权利要求1所述的方法，该方法还包括：

利用压模形成模制层以覆盖所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片；以及

通过去除所述模制层的至少一部分暴露所述多个第二半导体芯片的顶表面。

4.根据权利要求3所述的方法，其中暴露所述多个第二半导体芯片的顶表面包括同时研磨所述模制层和所述第二半导体芯片。

5.根据权利要求4所述的方法，其中暴露所述半导体芯片的所述顶表面包括暴露所述半导体芯片的实质上整个顶表面。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述散热层包括第一金属层以及形成在所述第一金属层上的第二金属层。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述第一金属层包括从Ti、Cr、Ta、Ni、TiW、其组合、或其合金选出的材料，其中所述第二金属层包括Cu。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述散热层还包括覆盖所述第二金属层的第三金属层，其中所述第三金属层包括Ni或Ni/Au。

9.根据权利要求6所述的方法，其中所述第一金属层形成为跨越所述第二半导体芯片的宽度的实质上连续的层，其中所述第二金属层形成为沿所述第二半导体芯片的所述宽度在所述第二金属层的分段之间具有间隙。

10.根据权利要求6所述的方法，其中所述第二金属层形成为跨越所述第二半导体芯片的所述宽度的实质上连续的层，其中所述第二金属层形成为在覆盖所述模制层的所述第二金属层的分段之间具有间隙。

11.根据权利要求1所述的方法，还包括利用插置在其间的粘合层在载体上附接所述多个第一半导体芯片。

12.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述散热层包括利用选自镀膜、化学气相沉积、物理气相沉积、原子层沉积或软光刻的技术。

13.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述散热层包括形成籽晶层以及在该籽晶层上形成纳米管层。

14.根据权利要求1所述的方法，还包括：

利用压模形成模制层以覆盖所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片；以及

平坦化所述模制层以及暴露所述多个第二半导体芯片的实质上所述整个顶表面，

其中所述散热层与所述平坦化模制层的顶表面和侧壁接触。

15.根据权利要求14所述的方法，还包括提供具有穿过其延伸的穿孔的封装基板，其中所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片设置在所述封装基板上方，其中所述散热层与所述封装基板的顶表面接触，以及其中所述穿孔耦接到一部分所述散热层，在所述一部分所述散热层处所述散热层与所述封装基板的所述顶表面接触。

16.一种制造半导体封装的方法，所述方法包括：

提供在其中制造有半导体芯片的晶片；

在所述晶片上方形成散热层，所述散热层接触所述半导体芯片的顶表面；以及

其后，从所述晶片分割所述多个半导体芯片。

17.根据权利要求16所述的方法，其中形成所述散热层而在所述散热层与所述半导体芯片之间没有粘合层。

18.根据权利要求17所述的方法，其中所述散热层由金属层形成。

19.根据权利要求16所述的方法，其中所述散热层包括阻挡层以及形成在所述阻挡层上的导电层，导电层通过在阻挡层上形成籽晶层以及形成覆盖所述籽晶层的金属层而形成。

20.根据权利要求19所述的方法，其中所述籽晶层包括Cu以及所述金属层包括Cu。

21.根据权利要求19所述的方法，其中所述籽晶层包括Au以及所述金属层包括Au。