[发明专利]非晶硅栅极驱动线路的形成方法及液晶显示器形成方法

权利要求书

1.一种非晶硅栅极驱动线路的形成方法，其特征在于，包括：

提供基板，所述基板包括第一区域和第二区域，第一区域上形成有第一金属线，第二区域上形成有第二金属线，第一金属线用于输入高电平信号，第二金属线用于输入低电平信号；

形成覆盖所述第一金属线、第二金属线和基板表面的绝缘层，所述绝缘层中分别形成有暴露第一金属线、第二金属线表面的过孔；

在第一金属线上的过孔内和绝缘层表面形成氧化性导电材料层，氧化性导电材料层与第一金属线相对应；

在第一区域的氧化性导电材料层表面形成第一导电层，第二区域的第二金属线的过孔内和绝缘层表面形成第二导电层，第二导电层与第二金属线相对应；

形成覆盖所述第一导电层和第二导电层的钝化层。

2.如权利要求1所述的非晶硅栅极驱动线路的形成方法，其特征在于，所述氧化性导电材料层为透明的氧化性导电材料或非透明的氧化性导电材料。

3.如权利要求2所述的非晶硅栅极驱动线路的形成方法，其特征在于，所述透明的氧化性导电材料为氧化铟锡或氧化铟锌。

4.如权利要求1所述的非晶硅栅极驱动线路的形成方法，其特征在于，所述氧化性导电材料层的厚度范围为300～3000埃。

5.如权利要求3所述的非晶硅栅极驱动线路的形成方法，其特征在于，所述透明的氧化性导电材料层形成工艺为物理气相沉积。

6.如权利要求1所述的非晶硅栅极驱动线路的形成方法，其特征在于，所述第一金属线、第二金属线、第一导电层、第二导电层的材料为选自铜、铝、铝钕合金、钼、钼铌合金、钼钨合金、钽、钼钽合金或者铬中的一种或者多种。

7.如权利要求1所述的非晶硅栅极驱动线路的形成方法，其特征在于，所述钝化层和绝缘层的材料为G-SiNx、氮化硅或氧化硅。

8.一种液晶显示器形成方法，其特征在于，包括：

提供基板，所述基板包括显示区域和非显示区域，所述非显示区域包括第一区域和第二区域；

在显示区域形成栅金属层，非显示区域的第一区域形成第一金属线，非显示区域的第二区域形成第二金属线，第一金属线用于输入高电平信号，第二金属线用于输入低电平信号；

形成覆盖所述第一金属线、第二金属线、栅金属层和基板表面的绝缘层；

在显示区域的绝缘层表面形成有源层，所述有源层与栅金属层相对应；

在绝缘层中形成暴露第一金属线、第二金属线表面的过孔，在显示区域的绝缘层表面形成像素电极，在第一金属线上的过孔内和绝缘层表面形成氧化性导电材料层，氧化性导电材料层与第一金属线相对应；

在显示区域的有源层表面形成源/漏极金属层，漏极金属层的部分与像素电极相接触，非显示区域的第一区域的氧化性导电材料层表面形成第一导电层，非显示区域的第二区域的第二金属线的过孔内和绝缘层表面形成第二导电层，第二导电层与第二金属线相对应；

形成覆盖所述源/漏极金属层、第一导电层、第二导电层表面的钝化层；

在显示区域的钝化层表面形成公共电极，公共电极与像素电极相对应。

9.如权利要求8所述的液晶显示器形成方法，其特征在于，所述像素电极和氧化性导电材料层为同一层导电材料层。

10.如权利要求9所述的液晶显示器形成方法，其特征在于，所述像素电极和氧化性导电材料层的材料为氧化铟锡或氧化铟锌。

11.如权利要求9所述的液晶显示器形成方法，其特征在于，所述像素电极和氧化性导电材料层形成工艺为物理气相沉积。

12.如权利要求8所述的液晶显示器形成方法，其特征在于，所述氧化性导电材料层的厚度范围为300～3000埃。

13.如权利要求8所述的液晶显示器形成方法，其特征在于，所述源/漏极金属层、第一导电层、第二导电层为同一层金属材料层。

14.如权利要求13所述的液晶显示器形成方法，其特征在于，所述源/漏极金属层、第一导电层、第二导电层的材料为铜、铝、铝钕合金、钼、钼铌合金、钼钨合金、钽、钼钽合金或者铬中的一种或者多种。

15.如权利要求8所述的液晶显示器形成方法，其特征在于，所述像素电极具有多个刻缝。