[发明专利]硅通孔检测结构及检测方法有效
| 申请号： | 201110456998.2 | 申请日： | 2011-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN103187398A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 冯军宏;甘正浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅通孔 检测 结构 方法 | ||
1.一种硅通孔检测结构，其特征在于，包括：
半导体基底，位于所述半导体基底内的硅通孔；
位于所述半导体基底和硅通孔表面的层间介质层；
位于所述层间介质层表面的检测金属层，所述检测金属层位于所述硅通孔的正上方。
2.如权利要求1所述的硅通孔检测结构，其特征在于，所述检测金属层的形状为S型。
3.如权利要求1所述的硅通孔检测结构，其特征在于，一个硅通孔正上方具有一个检测金属层。
4.如权利要求1所述的硅通孔检测结构，其特征在于，一个硅通孔上方具有至少两个检测金属层。
5.如权利要求1所述的硅通孔检测结构，其特征在于，至少两个硅通孔上方具有同一个检测金属层。
6.如权利要求1所述的硅通孔检测结构，其特征在于，所述检测金属层的尺寸大于或等于所述硅通孔的尺寸。
7.如权利要求1所述的硅通孔检测结构，其特征在于，还包括，位于所述硅通孔和部分半导体基底表面的金属互连层。
8.一种利用权利要求1所述的硅通孔检测结构的检测方法，其特征在于，包括：
将检测电压施加在所述硅通孔和检测金属层两端；
利用所述检测电压检测所述硅通孔和检测金属层之间的击穿电压，从而判断所述硅通孔表面是否存在铜突起。
9.如权利要求8所述的硅通孔检测结构的检测方法，其特征在于，所述硅通孔检测结构中的一个硅通孔上方具有至少两个检测金属层，分别在每一个检测金属层和硅通孔两端施加检测电压，从而判断所述硅通孔对应区域的表面是否存在铜突起。
10.如权利要求8所述的硅通孔检测结构的检测方法，其特征在于，当所述击穿电压小于所述参考击穿电压时，判断出所述硅通孔表面存在铜突起。
11.一种利用权利要求1所述的硅通孔检测结构的检测方法，其特征在于，包括：
将检测电压施加在所述检测金属层两端；
利用所述检测电压检测所述检测金属层的电阻值，从而判断所述硅通孔表面是否存在铜突起。
12.如权利要求11所述的硅通孔检测结构的检测方法，其特征在于，当所述电阻值大于所述参考电阻值时，判断出所述硅通孔表面存在铜突起。
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