[发明专利]砷化镓的处理设备及处理方法无效
申请号: | 201110456230.5 | 申请日: | 2011-12-29 |
公开(公告)号: | CN103184339A | 公开(公告)日: | 2013-07-03 |
发明(设计)人: | 李琼芳;朱刘 | 申请(专利权)人: | 广东先导稀材股份有限公司 |
主分类号: | C22B7/00 | 分类号: | C22B7/00;C22B30/04;C22B58/00 |
代理公司: | 北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙) 11387 | 代理人: | 张向琨;刘春成 |
地址: | 511500 广东省清*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 砷化镓 处理 设备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种金属化合物的处理设备及处理方法,尤其涉及一种砷化镓的处理设备及处理方法。
背景技术
金属镓(Ga)是地壳中含量很少的稀散金属,在自然界本身不能单独形成具有开采价值的镓矿床,以类质同晶态伴生在硫镓铜矿以及铝、锌、锗、含锗煤等矿中,只能从提取铝、锌、锗等的副产品中将镓综合回收。目前世界上金属镓的生产工艺主要有提取法和回收法两种方法,其中85%都是回收法在生产的,主要原料就是砷化镓(GaAs)废料。这是因为GaAs性能的优越性,在电子器件、光学器件中获得广泛应用,但是在合成GaAs过程中,最后的产率很低,常常小于15%,会产生大量的GaAs废料。
于2005年11月9日公开的中国发明专利申请公开号CN1693492A公开了一种从砷化镓工业废料中回收镓和砷的方法。其中,以砷化镓工业废料为原料,采用原料研磨、硝酸自催化浸出、硫化物选择性沉淀砷、氢氧化物沉淀镓、氢氧化镓碱溶、电解回收镓等工艺,电解得到纯度为4N金属镓可进一步提纯到纯度为6N高纯金属镓,砷硫化物作为原料可按现行工艺进一步深加工处理得到高纯砷。该方法工艺复杂,流程较长,且产生大量的污水需进一步处理。
于2010年10月13日公布的专利发明专利申请公布号CN101857918A公开了一种废弃物砷化镓的镓及砷纯化回收方法。其中,先采用高温煅烧方式取得砷及三氧化二砷,再对砷蒸汽进行冷凝结取得三氧化二砷氧化物,另将三氧化二镓溶于适当浓度王水并进行电解,取得镓金属。该方法产生剧毒的三氧化二砷,不利于操作和人员安全。
发明内容
针对现有技术的不足,本发明的目的在于提供一种砷化镓的处理设备及处理方法,其能直接分离出金属镓和单质砷。
本发明的另一目的在于提供一种砷化镓的处理设备及处理方法,其能简化工艺和设备。
本发明的再一目的在于提供一种砷化镓的处理设备及处理方法,其有利于操作和人员安全。
为了实现本发明的目的,在第一个方面,本发明提供一种砷化镓的处理设备,包括:石英舟,用于盛放砷化镓废料;石英管,具有封闭端和开口端,盛放有砷化镓废料的石英舟,将置于封闭端;水平晶体生长炉,包括水平晶体生长炉加热区,水平晶体生长炉加热区包围石英管的封闭端且包围石英管内的石英舟;密封件,将石英管的开口端封闭;以及真空机组,经由密封件连通于石英管。
为了实现本发明的目的,在第二个方面,本发明提供一种砷化镓的处理方法,采用根据本发明第一方面的所述的砷化镓的处理设备,所述砷化镓的处理方法包括步骤:将砷化镓废料放入石英舟中;将装有砷化镓废料的石英舟放入石英管的封口端;将石英管的封口端放入水平晶体生长炉的水平晶体生长炉加热区,并使石英舟处于水平晶体生长炉加热区范围内;使得石英管的开口端置于水平晶体生长炉之外;通过密封件密封石英管的开口端;通过密封件使得石英管与真空机组连通;开启真空机组,待石英管内的压强小于预定压力时,启动水平晶体生长炉加热区工作,以加热至规定温度并保温预定时间,使石英管内的砷化镓废料中的砷化镓分解,以生成液态镓和气态砷;以及在所述压强下自然冷却。
本发明的有益效果如下。
本发明所述的砷化镓的处理设备及处理方法,能直接分离出金属镓和单质砷,镓的回收率高,成本低廉
本发明所述的砷化镓的处理设备及处理方法能简化工艺和设备。
本发明所述的砷化镓的处理设备及处理方法对环境无污染,且无有毒物质产生,有利于操作和人员安全。
附图说明
图1是根据本发明的砷化镓的处理设备的结构示意图。
其中,附图标记说明如下:
1砷化镓废料 2石英舟 3石英管
4水平晶体生长炉加热区 5密封件 6真空机组
7冷凝器 31封闭端 33开口端
具体实施方式
下面说明根据本发明的砷化镓的处理设备及处理方法。
第一方面,说明根据本发明的砷化镓的处理设备。
如图1所示,根据本发明的砷化镓的处理设备包括:包括:石英舟2,用于盛放砷化镓废料1;石英管3,具有封闭端31和开口端33,盛放有砷化镓废料1的石英舟2将置于封闭端31;水平晶体生长炉(未示出),包括水平晶体生长炉加热区4,水平晶体生长炉加热区4包围石英管3的封闭端31且包围石英管3内的石英舟2;密封件5,将石英管3的开口端33封闭;以及真空机组6,经由密封件5连通于石英管3。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东先导稀材股份有限公司,未经广东先导稀材股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110456230.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:制造薄膜太阳能电池的化学浴沉积设备及方法
- 下一篇:振动电机