[发明专利]发光装置

说明书

技术领域

本发明的实施方式涉及一种发光装置。

背景技术

对从光源放射的紫外光～可见光波长范围的输出光和吸收了该输出光的荧光体粒子所放射的波长转换光进行混合时，例如可得到白色光、近似白色光、电灯色等。

用黄色荧光体层覆盖蓝色LED芯片时，作为点光源可以得到近似白色光。另一方面，沿导光体的导光方向使黄色荧光体层延伸，通过照射导入导光体内部的蓝色光，作为线状光源可以得到近似白色光。

此时，激发光(光源的输出光)在接近光源的荧光体层区域中被较多地吸收。但是，随着离开光源激发光的强度下降，荧光体层中的吸收降低。因此，近似白色光的强度存在如下问题，在光源侧较高，且随着离开光源而下降。而且，离开光源时，由于蓝色光减弱，因此色度也向黄色侧偏移。

发明内容

实施方式的发光装置具有第1光源、导光体、发光层及第1反射层。所述导光体具有：第1端面，射入来自所述第1光源的光；及第2端面，设置在所射入的所述光的导光方向上。在所述发光层中，沿所述导光方向配置吸收所述光而能够放射波长转换光的荧光体粒子或使所述光扩散的光扩散剂，以作为发光层。所述第1反射层设置在所述第2端面上，可反射导入所述导光体内的所述光的一部分。而且，其特征在于，从所述发光层向所述导光体的外部放射扩散光。

附图说明

图1(a)是第1实施方式所涉及的发光装置的模式剖视图，图1(b)是表示由荧光体粒子引起的发光的模式图，图1(c)是表示由光扩散剂引起的输出光的模式图。

图2(a)是表示激光束的光强度分布的曲线图，图2(b)是表示入射区域较大时的入射面的模式侧视图，图2(c)是表示入射区域较小时的入射面的模式侧视图。

图3(a)是第1实施方式中变形例的模式剖视图，图3(b)是表示由荧光体粒子引起的发光的模式图，图3(c)是表示由光扩散剂引起的输出光的模式图。

图4(a)是第2实施方式所涉及的发光装置的模式剖视图，图4(b)是第1变形例所涉及的发光装置的模式剖视图，图4(c)是第2变形例的模式剖视图。

图5是第3实施方式所涉及的发光装置的模式剖视图。

图6(a)是第4实施方式所涉及的发光装置的模式剖视图，图6(b)是其第1变形例的模式剖视图。

图7(a)～图7(e)是表示反射层形状的变形例的模式剖视图。

图8(a)是第5实施方式所涉及的发光装置的模式剖视图，图8(b)及图8(c)是从光源侧观察的模式侧视图，图8(d)是模式立体图，图8(e)是变形例的模式剖视图。

图9(a)是第6实施方式所涉及的发光装置的模式立体图，图9(b)～(e)是表示点亮区域的模式图。

图10(a)是第7实施方式所涉及的发光装置的模式立体图，图10(b)是其模式剖视图。

具体实施方式

下面，参照附图对本发明的实施方式进行说明。

图1(a)是第1实施方式所涉及的发光装置的模式剖视图，图1(b)是表示输出光通过荧光体粒子进行波长转换后的扩散发光的模式图，图1(c)是表示输出光通过光扩散剂进行扩散发光的模式图。

在图1(a)中，发光装置具有：光源10；导光体30，离开光源10而设置；发光层40，包含荧光体粒子；及第1反射层50，设置在导光体30的第2端面30b上。导光体30具有第1端面30a、第2端面30b、侧面30c、30f。第1端面30a成为从光源10放射的光10a的入射面。在第2端面30b上设置由金属、电介质多层膜形成的第1反射层50。

作为光源10，例如可以使用可放射紫外线～可见光波长范围的光的由氮化物类半导体材料形成的LED(Light Emitting Diode：发光二极管)、LD(LaserDiode：激光二极管)。LD的情况下，发光点的尺寸为10μm以下，所放射的光10a的垂直方向半峰全宽(Full Width at Half Maximum)为30度，水平方向半峰全宽为10度等，可形成为较窄，可容易切实地射入导光体30。

另外，在本说明书中，将导光的方向定义为导光方向(方框箭头)36。导光体30具有透光性，可以是透明树脂、玻璃等的透明材料，或者空气层等。而且，例如导光体30的宽度可以是1.5mm，高度可以是1.5mm。而且，导光体30的长度例如可以是60mm。