[发明专利]发光装置

权利要求书

1.一种发光装置，其特征在于，具备：

第1光源；

导光体，具有射入来自所述第1光源的光的第1端面以及与所述第1端面相对且设置在所射入的所述光的导光方向上的第2端面；

发光层，沿所述导光方向配置有吸收所述光而能够放射波长转换光的荧光体粒子或使所述光扩散的光扩散剂；

及第1反射层，设置在所述第2端面上，可反射导入所述导光体内的所述光的一部分，

向所述导光体的外部放射来自所述发光层的扩散光。

2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，

还具备第2反射层，其设置在所述第1端面中的未射入所述光的区域中。

3.根据权利要求2所述的发光装置，其特征在于，

还具备第3反射层，可反射来自所述第1反射层的反射光，

所述导光体具有弯折部及从所述弯折部向所述第2端面的相反侧延伸的分支部，

所述第3反射层设置在所述分支部的端面上。

4.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，

还具备第2光源，其设置在所述第1端面侧或所述第2端面侧，放射具有与来自所述第1光源的所述光的波长实质上相同的波长的光。

5.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，

还具备第2光源，

所述导光体具有分支部，可向所述第2端面导入来自所述第2光源的光。

6.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，

所述导光体被设置为包围所述发光层的外边缘，

所述导光体的折射率为所述发光层的折射率以下。

7.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，

从所述第1光源放射的所述光是半导体激光，其垂直方向半峰全宽比水平方向半峰全宽大。

8.一种发光装置，其特征在于，具备：

第1光源；

第2光源；

导光体，是包括前端部和从所述前端部分支并延伸的分支部的导光体，包括具有来自所述第1及第2光源的光所分别射入的区域的第1端面以及与所述第1端面相对且设置在所射入的所述光的导光方向上的第2端面；

发光层，沿所述导光方向配置有分别吸收所述第1及第2所述光而能够放射各自的波长转换光的荧光体粒子或使所述光分别扩散的光扩散剂，并且被所述前端部包围；

及第1反射层，设置在所述第2端面上，可反射导入所述导光体内的所述光的一部分，

向所述导光体的外部放射来自所述发光层的扩散光。

9.根据权利要求8所述的发光装置，其特征在于，

还具备第2反射层，其与所述第2端面相对地设置在所述前端部的端面上。

10.根据权利要求9所述的发光装置，其特征在于，

所述发光层分别与所述第1反射层及所述第2反射层接触地设置。

11.根据权利要求9所述的发光装置，其特征在于，

所述发光层分别与所述第1反射层及所述第2反射层离开地设置。

12.根据权利要求8所述的发光装置，其特征在于，

所述第1光源的所述光是半导体激光，其垂直方向半峰全宽比水平方向半峰全宽大。

13.根据权利要求12所述的发光装置，其特征在于，

所述光的垂直方向朝向所述导光体中心。

14.根据权利要求12所述的发光装置，其特征在于，

所述光的水平方向朝向所述导光体中心。

15.根据权利要求8所述的发光装置，其特征在于，

从所述第1光源放射的所述光的波长具有与从所述第2光源放射的所述光实质上相同的波长。