[发明专利]功率元件封装结构无效
| 申请号: | 201110455882.7 | 申请日: | 2011-12-27 |
| 公开(公告)号: | CN103187374A | 公开(公告)日: | 2013-07-03 |
| 发明(设计)人: | 林孟辉 | 申请(专利权)人: | 富鼎先进电子股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48;H01L21/60 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;梁挥 |
| 地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 功率 元件 封装 结构 | ||
1.一种功率元件封装结构,其特征在于,包含:
一基材,具有一第一表面及相对于该第一表面的一第二表面;
一源极层,设置于该基材的该第一表面;
一栅极层,设置于该基材的该第一表面;
一漏极层,设置于该基材的该第二表面;
一介电层,覆盖该源极层、该栅极层及该基材的该第一表面;
至少一漏极焊垫,设置于该介电层上;
至少一源极焊垫,设置于该介电层上;
至少一栅极焊垫,设置于该介电层上;
至少一漏极金属柱,连接该漏极层与该至少一漏极焊垫;
至少一源极金属柱,连接该源极层与该至少一源极焊垫;以及
至少一栅极金属柱,连接该栅极层与该至少一栅极焊垫。
2.根据权利要求1所述的功率元件封装结构,其特征在于,该至少一漏极焊垫、该至少一源极焊垫及该至少一栅极焊垫,设置于该介电层的同一表面。
3.根据权利要求1所述的功率元件封装结构,其特征在于,该至少一漏极金属柱、该至少一源极金属柱、与该至少一栅极金属柱互相平行。
4.根据权利要求3所述的功率元件封装结构,其特征在于,该至少一源极金属柱位于该至少一漏极金属柱与该至少一栅极金属柱之间。
5.根据权利要求3所述的功率元件封装结构,其特征在于,该至少一漏极金属柱位于该至少一源极金属柱与该至少一栅极金属柱之间。
6.根据权利要求3所述的功率元件封装结构,其特征在于,该至少一栅极金属柱位于该至少一源极金属柱与该至少一漏极金属柱之间。
7.根据权利要求1所述的功率元件封装结构,其特征在于,还包含一金属层,设置于该漏极层背对该基材的一表面。
8.根据权利要求1所述的功率元件封装结构,其特征在于,该介电层的材料为聚亚酰胺树脂或环氧树脂。
9.一种功率元件封装结构的制造方法,其特征在于,包含:
形成一源极层及一栅极层于一基材的一第一表面,并形成一漏极层于该基材的相对于该第一表面的一第二表面;
形成一介电层于该源极层、该栅极层、及该基材;
标定出至少一漏极蚀刻区域、至少一源极蚀刻区域、及至少一栅极蚀刻区域;
蚀刻该至少一漏极蚀刻区域、该至少一源极蚀刻区域、及该至少一栅极蚀刻区域,以分别形成至少一漏极通道、至少一源极通道、及至少一栅极通道;
灌注金属至该至少一漏极通道、该至少一源极通道、及该至少一栅极通道,以分别形成至少一漏极金属柱、至少一源极金属柱、及至少一栅极金属柱;
分别形成至少一漏极焊垫、至少一源极焊垫、及至少一栅极焊垫于该至少一漏极金属柱、该至少一源极金属柱、及该至少一栅极金属柱上;以及
切割该基材、该介电层与该漏极层。
10.根据权利要求9所述的功率元件封装结构的制造方法,其特征在于,还包含形成一金属层于该漏极层背对该基材的一表面。
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