[发明专利]功率元件封装结构无效

专利信息
申请号: 201110455882.7 申请日: 2011-12-27
公开(公告)号: CN103187374A 公开(公告)日: 2013-07-03
发明(设计)人: 林孟辉 申请(专利权)人: 富鼎先进电子股份有限公司
主分类号: H01L23/48 分类号: H01L23/48;H01L21/60
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国;梁挥
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 功率 元件 封装 结构
【权利要求书】:

1.一种功率元件封装结构,其特征在于,包含:

一基材,具有一第一表面及相对于该第一表面的一第二表面;

一源极层,设置于该基材的该第一表面;

一栅极层,设置于该基材的该第一表面;

一漏极层,设置于该基材的该第二表面;

一介电层,覆盖该源极层、该栅极层及该基材的该第一表面;

至少一漏极焊垫,设置于该介电层上;

至少一源极焊垫,设置于该介电层上;

至少一栅极焊垫,设置于该介电层上;

至少一漏极金属柱,连接该漏极层与该至少一漏极焊垫;

至少一源极金属柱,连接该源极层与该至少一源极焊垫;以及

至少一栅极金属柱,连接该栅极层与该至少一栅极焊垫。

2.根据权利要求1所述的功率元件封装结构,其特征在于,该至少一漏极焊垫、该至少一源极焊垫及该至少一栅极焊垫,设置于该介电层的同一表面。

3.根据权利要求1所述的功率元件封装结构,其特征在于,该至少一漏极金属柱、该至少一源极金属柱、与该至少一栅极金属柱互相平行。

4.根据权利要求3所述的功率元件封装结构,其特征在于,该至少一源极金属柱位于该至少一漏极金属柱与该至少一栅极金属柱之间。

5.根据权利要求3所述的功率元件封装结构,其特征在于,该至少一漏极金属柱位于该至少一源极金属柱与该至少一栅极金属柱之间。

6.根据权利要求3所述的功率元件封装结构,其特征在于,该至少一栅极金属柱位于该至少一源极金属柱与该至少一漏极金属柱之间。

7.根据权利要求1所述的功率元件封装结构,其特征在于,还包含一金属层,设置于该漏极层背对该基材的一表面。

8.根据权利要求1所述的功率元件封装结构,其特征在于,该介电层的材料为聚亚酰胺树脂或环氧树脂。

9.一种功率元件封装结构的制造方法,其特征在于,包含:

形成一源极层及一栅极层于一基材的一第一表面,并形成一漏极层于该基材的相对于该第一表面的一第二表面;

形成一介电层于该源极层、该栅极层、及该基材;

标定出至少一漏极蚀刻区域、至少一源极蚀刻区域、及至少一栅极蚀刻区域;

蚀刻该至少一漏极蚀刻区域、该至少一源极蚀刻区域、及该至少一栅极蚀刻区域,以分别形成至少一漏极通道、至少一源极通道、及至少一栅极通道;

灌注金属至该至少一漏极通道、该至少一源极通道、及该至少一栅极通道,以分别形成至少一漏极金属柱、至少一源极金属柱、及至少一栅极金属柱;

分别形成至少一漏极焊垫、至少一源极焊垫、及至少一栅极焊垫于该至少一漏极金属柱、该至少一源极金属柱、及该至少一栅极金属柱上;以及

切割该基材、该介电层与该漏极层。

10.根据权利要求9所述的功率元件封装结构的制造方法,其特征在于,还包含形成一金属层于该漏极层背对该基材的一表面。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富鼎先进电子股份有限公司,未经富鼎先进电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110455882.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top