[发明专利]一种基板的多层隔片式IC芯片堆叠封装件及其生产方法

说明书

技术领域

本发明属于电子信息自动化元器件制造技术领域，涉及一种IC芯片集成电路封装件，具体涉及一种基板的多层隔片式IC芯片堆叠封装件，本发明还涉及一种该堆叠封装件的生产方法。

背景技术

随着更小、更轻和更有功效的各类手机市场需求扩大以及掌上电脑（PAD）的电子器件的增长，促进了电子封装技术更小型化、更多功能的研发，堆叠封装已是满足产品更小、更轻、更多功能的一种重要技术手段，并越来越得到各封装公司客户的重视，各类手机数码相机、各种智能卡及便携式仪器是堆叠封装产品的应用领域。手机的多功能化技术又推动了堆叠封装的快速发展和技术提升。

目前，堆叠封装都是通过粘胶片直接将IC芯片进行堆叠粘接，影响连接IC芯片与载体焊盘的键合线的高度，相邻芯片间的绝缘性能不好，也影响到芯片的散热。

发明内容

为了克服上述现有技术中存在的问题，本发明的目的是提供一种基板的多层隔片式IC芯片堆叠封装件，键合线高度符合要求，芯片间的绝缘性能和芯片的散热性能。

本发明的另一目的是提供一种上述基板的多层隔片式IC芯片堆叠封装件的生产方法。

为实现上述目的，本发明所采用的技术方案是，一种基板的多层隔片式IC芯片堆叠封装件，包括BT基板，BT基板的载体上粘接有至少两块IC芯片，所有的IC芯片依次堆叠粘贴，各IC芯片上的焊盘通过键合线与BT基板上的焊盘相连接，BT基板上固封有塑封体，相邻两IC芯片之间粘贴有隔片。

本发明所采用的另一技术方案是，一种上述基板的多层隔片式IC芯片堆叠封装件的生产方法，具体按以下步骤进行：

步骤1：晶圆减薄和晶圆划片以及隔片减薄和隔片划片

对于3层隔片式IC芯片堆叠封装件：晶圆减薄最终厚度为100μm，并对减薄后的晶圆进行划片；

隔片采用单晶片：当单晶片用于3层堆叠封装件时，单晶片减薄后的最终厚度为110μm±10μm；当单晶片用于5层堆叠封装件时，单晶片减薄后的最终厚度为75μm；当单晶片用于5层以上堆叠封装件时，单晶片减薄后的最终厚度为50μm；

隔片采用微晶玻璃片或陶瓷片时，厚度根据需要定制，不需减薄；

步骤2：上芯、清洗、压焊

对于3层隔片式IC芯片堆叠封装件：

在BT基板的载体上点上绝缘胶或导电胶，通过该绝缘胶或导电胶将第一IC芯片与载体粘接，并采用防离层烘烤工艺进行175℃烘烤；烘烤后进行等离子清洗，再从第一IC芯片的焊盘向第一基板焊盘打线，形成弧高不超过110μm的第一键合线，然后，在第一IC芯片上依次粘贴第一隔片和第二IC芯片：

若采用绝缘胶粘贴第一隔片和第二IC芯片，则在第一IC芯片上点上绝缘胶，将划片后的第一隔片放置在第一IC芯片上，通过绝缘胶使第一隔片与第一IC芯片粘接，不烘烤；然后，在第一隔片上点上绝缘胶，将第二IC芯片放置在第一隔片上，通过绝缘胶使第二IC芯片与第一隔片粘接，送烘烤；两次粘接的绝缘胶的厚度均为20μm～30μm；等离子清洗，再从第二IC芯片的焊盘向第一基板焊盘打线，形成弧高不超过110μm的第二键合线；

若采用胶膜片粘贴第一隔片和第二IC芯片，将带胶膜片的第一隔片放置在第一IC芯片上，使第一隔片通过胶膜片与第一IC芯片粘接，不烘烤；再将带胶膜片的第二IC芯片放置在第一隔片上，使第二IC芯片与第一隔片粘接；然后在150℃的温度下烘烤；等离子清洗，再从第二IC芯片的焊盘向第一基板焊盘打线，形成弧高不超过110μm的第二键合线；

对于5层隔片式IC芯片堆叠封装件：

采用3层隔片式IC芯片堆叠封装件的上芯方法在载体上粘贴第一IC芯片、压焊第一键合线、粘贴第一隔片和第二IC芯片、压焊第二键合线，然后粘贴第二隔片和第三IC芯片：

若采用绝缘胶粘贴第二隔片和第三IC芯片，在第二IC芯片上点上绝缘胶，将第二隔片放置在该绝缘胶上，使第二隔片与第二IC芯片粘接，不烘烤；在第二隔片上点上绝缘胶，将第三IC芯片放置在该绝缘胶上，使第三IC芯片与第二隔片粘接；在175℃下烘烤，等离子清洗；再从第三IC芯片的焊盘向第一基板焊盘打线，形成弧高不超过120μm的第三键合线；两次粘接使用的绝缘胶的厚度均为20μm～30μm。