[发明专利]一种液晶显示面板阵列基板的制作方法

说明书

【技术领域】

本发明是关于一种液晶显示面板阵列基板的制作方法，特别地，涉及一种提升液晶显示面板阵列基板的穿透率的制作方法。

【背景技术】

近年来，液晶显示器(LCD)因其优越特性，已经得到了广泛的应用和普遍的认同。LCD是一种通过对同时具有液体流动性和光学特性的液晶施加电场来改变其光穿透率的显示器，作为一种能够替代阴极射线管(CRT)显示器的新型显示器，因其外形薄、重量轻、功耗小、辐射低而备受推崇。

LCD器件根据其液晶及图案结构的属性而具有多种类型。更具体地，LCD器件分为：扭转向列(TN)型，通过施加电压来控制液晶扭转；多域型，通过将一个像素分为多个域来获得宽视角；光补偿双折射(OCB)型，通过在基板的外表面上形成补偿膜，来根据光的行进方向对光的相位变化进行补偿；面内切换(IPS)型，通过在任一基板上形成两个电极来形成平行的横向电场；以及垂直配向(VA)型，通过使用负型液晶和垂直配向层，使液晶分子的纵轴垂直于配向层的平面。

在这些类型中，IPS型LCD器件包括：彩色滤光片(CF)基板、阵列(Array)基板和液晶层。其中，彩色滤光片基板和阵列基板彼此相对，并且在这两个基板之间形成有液晶层。彩色滤光片基板包括：用于防止光泄漏的黑色矩阵(black matrix)层，和用于实现各种颜色的R、G和B滤光层。另外，阵列基板包括：多数条扫描线和多数条数据线纵横交错，多数个画素位于该些扫描和数据线交错间，每个画素内包含有画素电极和共通电极。对于光穿透的影响，彩色滤光片(CF)基板的影响相对比较稳定，在膜层的材质和结构确定后，制程参数对其穿透率的影响上，彩色滤光片基板要比阵列基板小的多，因此，通常在提升穿透率问题上，会聚焦在如何改善阵列基板各膜层上。如图一所示，在画素区域内包含薄膜晶体管(Thin film transistor)区域和显示区域，其中该薄膜晶体管区域为不透光的区域，而显示区域则是光穿透的区域，但是在IPS型液晶显示面板的阵列基板中该显示区域包含有多层膜的重叠结构，如在基板100上有栅极绝缘层201、画素电极501、钝化层701以及共通电极801，而在整个阵列基板的制程当中，画素电极501的单层穿透率对整个阵列基板的非常关键，这主要是因为在形成覆盖在画素电极层501上面的钝化层701时，会对画素电极501造成伤害，特别是沉积钝化层701时会降低画素电极中的氧含量，而画素电极的材料通常是是氧化铟硒，氧的含量降低会导致了其穿透率下降。而IPS型液晶显示面板基于其画素电极和钝化层的层叠关系及制程影响关系，造成了IPS型液晶显示面板的阵列基板穿透率比较低。

为了解决上述问题，现有技术中也提出了较多的解决方案，比如说通过改变画素电极或共通电极的宽度，或者通过改变绝缘层的材质等方式，但是都没有达到理想的效果。因此提升IPS型LCD的穿透率成为了亟待解决的一个问题。

【发明内容】

本发明提供一种IPS显示技术面板阵列基板的制作方法，通过改变钝化层的形成方式，提升IPS型液晶显示面板阵列基板的穿透率。

本发明提供了一种IPS型液晶显示面板阵列基板制作方法，首先提供一基板，依次形成栅极、栅极绝缘层、半导体层、第一透明电极、源极和漏极于该基板上，再形成第一钝化层覆盖该源极、漏极、半导体层和该栅极绝缘层，接着再形成第二钝化层覆盖第一钝化层，最后再形成第二透明电极于该第二钝化层上，其中第一钝化层的沉积功率小于5500瓦，第二钝化层的沉积功率大于5000瓦。

在本发明的一个实施例中，上述的液晶显示面板阵列基板的制作方法，其中第一钝化层的沉积反应气体为硅烷和氨气。

在本发明的一个实施例中，上述的第一钝化层使用的沉积反应气体是硅烷和氨气。

在本发明的一个实施例中，上述的沉积反应气体的气体流量小于6500标准毫升每分钟。

在本发明的一个实施例中，上述形成的第一钝化层沉积的厚度为50～250埃。

在本发明的一个实施例中，上述第二钝化层是单层结构，也可以为多层结构。

在本发明的一个实施例中，上述的第二钝化层可以是两层，也可以是三层或者更多层，但不限于此。并且第二钝化层的沉积压力大于等于1500兆帕。形成这第二钝化层的沉积反应的气体是硅烷和氨气。

其中如上述的液晶显示面板阵列基板的制作方法，该第一透明电极层为画素电极，该第二透明电极层为共通电极。其中画素电极的材质为氧化铟硒。

【附图说明】

图1是现有技术IPS型阵列基板截面示意图。