[发明专利]一种液晶显示面板阵列基板的制作方法有效
申请号: | 201110453765.7 | 申请日: | 2012-03-09 |
公开(公告)号: | CN102593050A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | 许民庆;杨妮;庄塗城;余鸿志 | 申请(专利权)人: | 深超光电(深圳)有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;G02F1/1333;G02F1/1343 |
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地址: | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 液晶显示 面板 阵列 制作方法 | ||
1.一种液晶显示面板阵列基板的制作方法,包括如下步骤:
提供一基板;
依次形成栅极、栅极绝缘层、半导体层、第一透明电极、源极和漏极于该基板上;
再形成第一钝化层覆盖该源极、漏极、半导体层和该栅极绝缘层,其中该第一钝化层的沉积功率小于5500瓦;
接着再形成一第二钝化层覆盖该第一钝化层,其中该第二钝化层的沉积功率大于5000瓦;
然后再形成第二透明电极于该钝化层上。
2.如权利要求1所述的一种液晶显示面板阵列基板的制作方法,该第一钝化层的沉积反应气体为硅烷和氨气。
3.如权利要求2所述的一种液晶显示面板阵列基板的制作方法,该第一钝化层使用的沉积反应气体硅烷和氨气的气体流量小于6500标准毫升每分钟。
4.如权利要求1所述的一种液晶显示面板阵列基板的制作方法,该第一钝化层沉积的厚度为50~250埃。
5.如权利要求1所述的一种液晶显示面板阵列基板的制作方法,该第二钝化层为多层结构。
6.如权利要求1所述的一种液晶显示面板阵列基板的制作方法,该第二钝化层为两层结构。
7.如权利要求1所述的一种液晶显示面板阵列基板的制作方法,该第二钝化层的沉积压力大于等于1500兆帕。
8.如权利要求1所述的一种液晶显示面板阵列基板的制作方法,该第二钝化层的沉积反应气体硅烷和氨气。
9.如权利要求1所述的一种液晶显示面板阵列基板的制作方法,该第一透明电极层为画素电极。
10.如权利要求10所述的一种液晶显示面板阵列基板的制作方法,该画素电极的材质为氧化铟硒。
11.如权利要求1所述的一种液晶显示面板阵列基板的制作方法,该第二透明电极层为共通电极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造