[发明专利]一种铜阻挡层制作方法有效
| 申请号： | 201110452147.0 | 申请日： | 2011-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN103187358A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 阻挡 制作方法 | ||
1.一种铜阻挡层制作方法，应用于采用低介电常数层间介质和铜互连线的金属互连层，提供具有金属互连层的晶片，所述金属互连层包括所述层间介质和所述铜互连线，所述铜互连线位于所述层间介质中，所述铜互连线表面露出且与所述层间介质表面平行，其特征在于，该方法包括：
将所述晶片放置在化学气相沉积反应腔中；
保持所述化学气相沉积反应腔中的真空状态；
向所述化学气相沉积反应腔中通入反应气体；
通过脉冲电源使所述反应气体产生脉冲离子体，在铜互连线表面和层间介质表面脉冲等离子体沉积铜阻挡层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所所述反应气体是含烷气体和含氮气体的混合气体。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述铜阻挡层是氮掺杂金刚砂。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述氮掺杂金刚砂是氮化硼、氮化硅碳或者氮化硅。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述脉冲电源是交流电源。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述脉冲电源的频率是10到100赫兹。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述脉冲等离子体的作用时间比范围是1～98％。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述脉冲等离子体沉积的功率范围是80～120瓦。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述脉冲等离子体沉积之前还包括低功率的预沉积步骤，所述低功率的预沉积的功率范围是小于等于50瓦。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
