[发明专利]半导体封装件及其制法有效

专利信息
申请号: 201110451247.1 申请日: 2011-12-29
公开(公告)号: CN103165563A 公开(公告)日: 2013-06-19
发明(设计)人: 钟匡能;钟兴隆;方颢儒 申请(专利权)人: 矽品精密工业股份有限公司
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L23/552;H01L23/31;H01L21/60;H01L21/56;H01L25/00
代理公司: 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 代理人: 程伟;王锦阳
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 半导体 封装 及其 制法
【说明书】:

技术领域

本发明关于一种半导体封装件,尤指一种防电磁干扰的半导体封装件及其制法。

背景技术

随着电子产品轻薄短小及系统整合的趋势,现今已发展出一种系统级封装(System in package;SIP),将一个或多个芯片、被动组件等不同的电子组件整合在同一个封装件中,当整合的组件含有射频(Radio frequency,RF)组件或其它电磁组件,容易造成邻近其它电子组件的电磁干扰(Electromagnetic Interference简称EMI),且封装件中的电子组件积集度日益增加,使得各该电子组件之间的相对位置越来越靠近,所以各该电子组件之间的EMI问题更显重要。

第7701040号美国专利揭露一种防电磁干扰的半导体封装件,如图1所示,于一承载件10上形成具有屏蔽层11的多个基板12,且各该基板12上设有多个封装体,如射屏(RF)单元16a与基频(base band)单元16b,而各该基板12的侧边具有电性连接垫120以供结合焊锡凸块,又于该基板12的边缘、射屏单元16a及基频单元16b上镀覆另一屏蔽层13。最后,移除该承载件10,以获取多个个半导体封装件1。

然而,现有半导体封装件1中,该屏蔽层13不能形成于该电性连接垫120上,否则会造成短路,所以于该电性连接垫120上先形成光阻,待形成屏蔽层13之后,移除该光阻以外露电性连接垫120,致使工艺繁杂且增加工艺时间,导致制作成本提高。

然而,如何克服现有技术的种种问题,实为一重要课题。

发明内容

为解决上述现有技术的种种问题,本发明提供一种半导体封装件,包括:载板;多个封装体,设于该载板上;挡架,设于该载板上,并位于该些封装体之间;封装胶体,形成于该载板上,以包覆该些封装体与该挡架,并令该挡架的部分表面外露于该封装胶体;以及屏蔽组件,电性连接该挡架。

本发明还提供一种半导体封装件的制法,包括:提供一载板;形成多个封装体于该载板上;设置挡架于该些封装体之间;形成封装胶体于该载板上,以包覆该些封装体与该挡架,并令该挡架的部分表面外露于该封装胶体;以及将一屏蔽组件电性连接该挡架。

前述的半导体封装件及其制法,该屏蔽组件可为以溅镀方式形成于该封装体上的金属层。或者,该屏蔽组件可为金属盖,盖设于该封装体上。

前述的半导体封装件及其制法,形成该挡架的材质可为导电材,且该挡架可具有挡板,以借之立设于该载板上并位于各该封装体之间。

另外,前述的半导体封装件及其制法,该封装体可为半导体芯片或具有半导体芯片的封装结构。

由上可知,本发明半导体封装件及其制法,借由屏蔽组件形成于该封装胶体上,且借由该挡架与该屏蔽组件作为屏蔽结构,所以相比于现有技术,本发明的封装体周围均有屏蔽结构,因而可有效防止外界电磁波干扰该些封装体的内部电路。

此外,借由该挡架的设计及屏蔽组件形成于该封装胶体上,因而无需考量该载板的线路布设,所以相比于现有技术,本发明的工艺更简易,且工艺时间更短,因而可降低制作成本。

附图说明

图1用于显示第7701040号美国专利的半导体封装件的制法的剖面示意图;

图2A至图2D为本发明半导体封装件的剖面示意图;其中,图2C’及图2D’为图2C及图2D的其它实施例;以及

图3A至图3B为本发明半导体封装件的另一实施例的立体示意图。

主要组件符号说明

1,2,2’            半导体封装件

10                   承载件

11、13               屏蔽层

12                   基板

120                  电性连接垫

16a                  射频单元

16b                  基频单元

20                   载板

202                  焊球

22a                  第一封装体

22b                  第二封装体

220a,220b           封装基板

221a                 第一芯片

221b                 第二芯片

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